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IRFH3702TR2PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。N沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
供应商型号: IRFH3702TR2PBF-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFH3702TR2PBF-VB

IRFH3702TR2PBF-VB概述

    # IRFH3702TR2PBF-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFH3702TR2PBF-VB 是一款高性能的N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。这款MOSFET采用先进的TrenchFET®技术,具有出色的电气特性和可靠性。它广泛应用于电机控制、工业自动化、负载开关和ORing电路等领域。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏极-源极电压 | 30 V |
    | 栅极-源极电压 | ± 20 V |
    | 连续漏极电流(TC = 25°C) | 22 A |
    | 脉冲漏极电流(t = 300 µs) | 150 A |
    | 持续源极-漏极二极管电流 | 35 A |
    | 单脉冲雪崩电流 | 20 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 20 mJ |
    | 最大功率耗散(TC = 25°C) | 52 W |
    | 最大结到环境热阻 | 24 | 33 | °C/W |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 到 150 °C |

    产品特点和优势


    1. Halogen-Free:符合IEC 61249-2-21标准。
    2. TrenchFET®技术:提供卓越的导电性能和低导通电阻。
    3. 100% Rg和UIS测试:确保产品质量可靠。
    4. RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC。
    5. 高可靠性:可在广泛的工业应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机控制:适用于各类工业电机控制系统的驱动和保护。
    - 工业自动化:用于各种工业自动化设备的开关控制。
    - 负载开关:作为电源转换中的关键组件。
    - ORing电路:实现电源冗余备份。
    使用建议
    - 散热管理:由于最大功率耗散为52W,建议使用适当的散热片以保持良好的热稳定性。
    - 电源设计:在设计电源系统时,需考虑其漏极电流和栅极电荷的影响。
    - 电压限制:确保工作电压不超过30V以避免损坏。

    兼容性和支持


    IRFH3702TR2PBF-VB可以与其他同类的电子元器件良好兼容,并且具有较高的鲁棒性和稳定性。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够充分利用这一产品的功能和性能。

    常见问题与解决方案


    1. 如何提高散热效率?
    - 解决方案:安装合适的散热片或散热器,确保良好的空气流通。
    2. 栅极电荷过高怎么办?
    - 解决方案:选择合适的栅极驱动器并优化电路设计以降低栅极电荷。
    3. 如何防止过热?
    - 解决方案:定期检查和监控工作温度,确保在安全范围内运行。

    总结和推荐


    IRFH3702TR2PBF-VB是一款具备卓越性能和广泛应用能力的N沟道MOSFET,适合用于多种工业应用场景。其高可靠性、低导通电阻和良好的散热性能使其成为许多电子工程师的首选。尽管需要特别注意散热和电压限制,但在正确设计和使用条件下,这款产品无疑是一款值得推荐的产品。
    如有任何疑问或技术支持需求,欢迎随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

IRFH3702TR2PBF-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 40A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFH3702TR2PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFH3702TR2PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFH3702TR2PBF-VB IRFH3702TR2PBF-VB数据手册

IRFH3702TR2PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.2743
100+ ¥ 2.1058
500+ ¥ 1.9374
5000+ ¥ 1.8531
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