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IRF510STRR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO263;N—Channel沟道,100V;20A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.7V;
供应商型号: IRF510STRR-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF510STRR-VB

IRF510STRR-VB概述

    高质量文章:N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    N-Channel 100-V MOSFET 是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),采用先进的 TrenchFET® 技术设计,旨在为多种电力转换和控制应用提供卓越的性能。其主要特征包括高击穿电压(V(BR)DSS = 100 V)、低导通电阻(rDS(on) 最大值仅为 0.120 Ω)以及宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C)。这款器件广泛应用于隔离型直流/直流转换器等领域,是一款理想的高效能开关解决方案。

    技术参数


    以下是 N-Channel 100-V MOSFET 的核心技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | 100 | - | - | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | rDS(on) | - | 0.100 | 0.120 | Ω |
    | 漏极连续电流(TJ = 175°C) | ID | 20 | - | 16 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | EAS | 200 | - | - | mJ |
    | 最大功率耗散(TJ = 25°C) | PD | - | 3.75 | - | W |
    | 热阻抗 | RthJA | - | 40 | - | °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    此外,该器件支持高达 ±20 V 的栅源电压(VGS),确保对栅极输入信号的稳健响应。其漏极反向恢复时间和峰值反向恢复电流分别为 130-200 ns 和 8-12 A,适用于高频开关应用。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (rDS(on)):最小值仅为 0.100 Ω(在 VGS = 10 V 下),显著降低功率损耗并提高效率。
    2. 高可靠性:采用 TrenchFET 技术,保证在极端环境下(如 175°C)的稳定性能。
    3. 快速开关能力:短的上升时间(tr = 120 ns)和下降时间(tf = 50 ns),适合高频电路设计。
    4. 高击穿电压和雪崩耐受能力:V(BR)DSS = 100 V,EAS = 200 mJ,适合恶劣工作条件。
    5. 环保合规:符合 RoHS 标准,且满足无卤素要求。
    这些特点使该器件成为高效开关电源、DC/DC 转换器及逆变器的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 隔离型 DC/DC 转换器:其高击穿电压和低热阻设计使其能够胜任高压转换需求。
    - 功率因数校正 (PFC):凭借快速开关速度和低损耗特性,可显著提升整体系统效率。
    - 电机驱动:支持高连续电流(20 A),适用于工业级电机控制系统。
    使用建议
    - 在高温环境中使用时,需考虑散热设计,避免过热导致的性能下降。
    - 开关频率较高时,建议增加旁路电容以抑制寄生振荡。
    - 如需更高功率需求,可并联多个器件以分担负载。

    兼容性和支持


    该器件采用标准的 D2PAK (TO-263) 封装,具有良好的机械兼容性,易于集成到现有电路板中。VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,包括样品申请、技术咨询以及在线资源下载。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件发热严重,影响正常工作?
    - 解决办法:检查 PCB 散热设计是否合理,必要时添加散热片或增大铜箔面积。

    2. 问题:开关波形不理想,出现抖动现象?
    - 解决办法:检查栅极驱动电路是否稳定,增加退耦电容以改善信号质量。
    3. 问题:长期运行后发现漏电流增大?
    - 解决办法:确认是否超出额定温度范围,避免长期工作在高温条件下。

    总结和推荐


    综合以上分析,IRF510STRR N-Channel 100-V MOSFET 是一款高度可靠且性能优越的电子元件。其低导通电阻、快速开关能力和宽温工作范围使其非常适合多种高要求的应用场景。对于需要高效能和稳定性的工程师而言,这款器件无疑是理想之选。
    推荐指数:★★★★★
    推荐用于隔离型 DC/DC 转换器、功率因数校正、工业级电机控制等领域的设计开发。
    如有进一步疑问,欢迎联系服务热线:400-655-8788 获取技术支持!
    制造商官网:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

IRF510STRR-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF510STRR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF510STRR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF510STRR-VB IRF510STRR-VB数据手册

IRF510STRR-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
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