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HM3N25R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,0.64A,RDS(ON),1490mΩ@10V,1788mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: HM3N25R-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM3N25R-VB

HM3N25R-VB概述

    HM3N25R N-Channel 250V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HM3N25R 是一款 N 沟道 250V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率开关应用设计。它采用了表面贴装技术(Surface Mount Technology),提供引线框架和带式包装(tape and reel)形式。此 MOSFET 主要用于需要高速切换和动态 dV/dt 特性的电源管理、逆变器和电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - VDS(漏源电压):250 V
    - RDS(on)(导通电阻):10 V 时,最大值 2.0 Ω
    - Qg(栅极电荷):最大值 8.2 nC
    - Qgs(栅源电荷):1.8 nC
    - Qgd(栅漏电荷):4.5 nC
    - 配置:单通道 N 沟道
    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压):250 V
    - VGS(栅源电压):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):TC = 25 °C 时 0.79 A;TC = 100 °C 时 0.50 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):6.3 A
    - 最大功耗(PD):25 °C 时 3.1 W;PCB 安装时 2.0 W
    - 热阻抗
    - 最大结点至环境热阻(RthJA):PCB 安装时,-60 °C/W
    - 最大结点至外壳热阻(RthJC):-40 °C/W

    3. 产品特点和优势


    HM3N25R 的主要特点是:
    - 高速切换:支持快速响应,适合高频应用。
    - 动态 dV/dt 特性:具备优秀的瞬态电压变化处理能力。
    - 易并联性:可以通过简单的方式实现多管并联,提高电流容量。
    - 简单的驱动需求:对驱动电路要求不高,易于集成。
    这些特点使其在电机驱动、逆变器、电源转换器等应用中具有显著的优势。

    4. 应用案例和使用建议


    HM3N25R 可以应用于多种场合,例如:
    - 电机驱动:用于控制电动机的速度和方向。
    - 电源转换:用于高效能的直流到交流转换。
    - 电池管理系统:用于电池充电和放电控制。
    使用建议:
    - 在高频应用中,确保 PCB 布局合理,减少寄生电感,增强散热性能。
    - 在选择驱动电路时,考虑 dV/dt 控制,防止电压尖峰对器件造成损坏。

    5. 兼容性和支持


    HM3N25R 可与其他标准电子元件轻松兼容,适用于广泛的电源管理系统和电路板设计。制造商提供详细的技术支持和售后服务,包括电话技术支持(服务热线:400-655-8788)和在线文档资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高电流条件下 MOSFET 发热严重。
    - 解决方案:检查散热片设计是否足够大,确保良好的空气流动,或考虑使用外部冷却装置。

    - 问题 2:脉冲电流超过限制导致器件损坏。
    - 解决方案:仔细调整驱动电路参数,确保脉冲宽度和占空比符合技术规范要求。

    7. 总结和推荐


    总体来说,HM3N25R 在高效率、高速度应用方面表现出色,特别是在电源管理和电机驱动方面。其易用性和高性能使其成为许多应用的理想选择。因此,强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的项目中使用 HM3N25R。
    如需进一步技术支持,请联系台湾VBsemi公司官方服务热线:400-655-8788。

HM3N25R-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 250V
Rds(On)-漏源导通电阻 1490mΩ@10V,1788mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 640mA
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM3N25R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM3N25R-VB数据手册

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HM3N25R-VB封装设计

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