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HUFA76429P3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: HUFA76429P3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUFA76429P3-VB

HUFA76429P3-VB概述

    N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel MOSFET(型号:HUFA76429P3-VB)。这是一种适用于多种应用场景的表面贴装型场效应晶体管,具有高动态dv/dt、逻辑电平栅极驱动、快速开关等特点,完全符合RoHS指令2002/95/EC要求,且不含卤素。这种MOSFET主要用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域,特别适合需要高可靠性及高效能的应用场合。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 漏源连续电流(ID):TC=25°C时为50A,TC=100°C时为36A
    - 漏源脉冲电流(IDM):200A
    - 热阻参数:
    - 最大结点到环境热阻(RthJA):62°C/W
    - 最大结点到环境热阻(PCB安装)(RthJA):40°C/W
    - 最大结点到壳体热阻(RthJC):1°C/W
    - 电阻参数:
    - 最小导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V时为0.024Ω,在VGS=4.5V时为0.028Ω
    - 其他参数:
    - 最大单次脉冲雪崩能量(EAS):400mJ
    - 最大峰值二极管恢复(dV/dt):4.5V/ns
    - 额定最大工作温度范围:-55°C至+175°C

    产品特点和优势


    该产品拥有以下几个显著的优势:
    - 高动态dv/dt:具备高达4.5V/ns的峰值二极管恢复能力,使其能够处理快速变化的电压。
    - 快速开关:在不同温度条件下的低RDS(on),确保了其能够在广泛的温度范围内高效运行。
    - 兼容多种标准:不仅符合RoHS指令,还符合IEC 61249-2-21标准,无卤素设计,使其更加环保。

    应用案例和使用建议


    - 工业控制:可用于电机控制和电源管理,提升系统的可靠性和效率。
    - 电机驱动:在电动机的变频调速中发挥重要作用,提高系统响应速度。
    - 电源转换:在开关电源中作为关键部件,实现高效电能转换。
    使用建议:
    - 散热管理:在高功率应用中,应考虑良好的散热设计,避免过热。
    - 测试验证:建议用户在具体应用场景中对产品的特性进行充分测试和验证。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品为表面贴装器件,可以采用带状包装,易于自动化装配。符合主流封装尺寸标准,兼容多种电路板设计。
    - 支持:供应商提供了详尽的技术资料和热阻数据,以帮助用户进行设计和测试。如有任何技术疑问,可通过服务热线400-655-8788联系VBsemi公司获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:如出现过热情况,检查是否安装了适当的散热片并确认工作环境温度是否超出正常范围。
    2. 脉冲电流过载:请遵循数据手册中的脉冲宽度限制,确保不超过规定的最大值。
    3. 漏电流过大:如果发现IGSS值偏大,检查电路是否有短路风险,重新检查接线是否正确。

    总结和推荐


    总体来看,HUFA76429P3-VB是一款在可靠性、热管理和快速开关性能方面表现出色的N-Channel MOSFET。它不仅能满足大多数工业应用的需求,还能提供出色的热稳定性和较高的电流处理能力。因此,强烈推荐在各种严苛的工业环境中使用此产品,以提升整体系统的性能和稳定性。

HUFA76429P3-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HUFA76429P3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUFA76429P3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUFA76429P3-VB HUFA76429P3-VB数据手册

HUFA76429P3-VB封装设计

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型号 价格(含增值税)
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