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IRF1404ZSTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: IRF1404ZSTRPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF1404ZSTRPBF-VB

IRF1404ZSTRPBF-VB概述

    IRF1404ZSTRPBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF1404ZSTRPBF-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道40V耐压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET特别适用于同步整流和电源供应应用。IRF1404ZSTRPBF-VB采用了TrenchFET技术,确保其在高压和高电流环境下具有优异的性能表现。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 40 V
    - 最大栅源电压 \( |V{GS}| \): ±25 V
    - 连续漏极电流 ( \( I{D} \) ): 150 A @ 25°C,70 A @ 70°C
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 380 A
    - 额定单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 320 mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 312 W @ 25°C,200 W @ 70°C
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.2 V 到 2.5 V @ 25°C
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 0.0017 Ω @ 10 V \( V{GS} \), 30 A \( I{D} \)
    - 0.0025 Ω @ 4.5 V \( V{GS} \), 20 A \( I{D} \)
    - 动态特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 9000 pF @ 20 V \( V{DS} \), 0 V \( V{GS} \)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 650 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 450 pF
    - 总栅极电荷 \( Q{g} \): 120 nC (典型值),180 nC (最大值)
    - 上升时间 \( tr \): 11 ns (典型值),17 ns (最大值)
    - 下降时间 \( tf \): 10 ns (典型值),15 ns (最大值)
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境稳态热阻 \( R{thJA} \): 32 °C/W (典型值),40 °C/W (最大值)
    - 最大结到外壳稳态热阻 \( R{thJC} \): 0.33 °C/W (典型值),0.4 °C/W (最大值)

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术: 提供卓越的开关性能和更低的导通电阻,使得IRF1404ZSTRPBF-VB在高频应用中表现出色。
    2. 高可靠性: 100%进行了UIS测试,保证了产品的长期稳定运行。
    3. 低导通电阻: 在不同电压和电流条件下,具有非常低的导通电阻,从而降低损耗并提高效率。
    4. 高电流承载能力: 支持高达150 A的连续漏极电流,适用于需要大电流的应用场合。
    5. 紧凑设计: 采用D2PAK (TO-263) 封装,占用空间小,易于集成。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 同步整流:由于其低导通电阻和快速开关特性,IRF1404ZSTRPBF-VB在高效率的同步整流电路中得到广泛应用。
    - 电源供应:在高功率密度的开关电源中,IRF1404ZSTRPBF-VB能提供稳定的输出,显著提升转换效率。
    使用建议:
    1. 散热设计: 确保良好的散热设计,特别是在高电流和高温环境下使用时。
    2. 栅极驱动:选择合适的栅极电阻和驱动电路,以实现最佳的开关性能和减少电磁干扰。
    3. 负载匹配: 在设计电路时,确保负载与MOSFET的额定电流和电压相匹配,以避免过载和损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRF1404ZSTRPBF-VB可以与其他标准封装的N沟道MOSFET进行互换。
    - 支持: VBsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括设计咨询和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现异常噪声。
    - 解决方案: 检查电路的接地情况和屏蔽措施,确保没有噪声耦合。

    - 问题2: 散热不足导致器件过热。
    - 解决方案: 使用散热片或散热器,并确保良好的空气流通。

    - 问题3: 没有达到预期的导通电阻。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电压是否满足阈值电压要求,并确认温度是否超出正常工作范围。

    总结和推荐


    综合评估:
    IRF1404ZSTRPBF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适合用于同步整流和电源供应等高效率应用场合。其卓越的开关特性和低导通电阻使其成为设计高效功率电子设备的理想选择。
    推荐意见:
    强烈推荐IRF1404ZSTRPBF-VB用于高功率密度和高效率要求的应用中。其优异的性能和可靠的稳定性将显著提升系统的整体性能。如果您正在寻找一款高效的MOSFET解决方案,IRF1404ZSTRPBF-VB是您不二的选择。

IRF1404ZSTRPBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 180A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF1404ZSTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF1404ZSTRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF1404ZSTRPBF-VB IRF1404ZSTRPBF-VB数据手册

IRF1404ZSTRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.247
100+ ¥ 4.8584
500+ ¥ 4.664
800+ ¥ 4.4697
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