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IPP100N06S2-05-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要中高功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
供应商型号: IPP100N06S2-05-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP100N06S2-05-VB

IPP100N06S2-05-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    IPP100N06S2-05-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用 TO-220AB 封装形式,具备低热阻特性,广泛应用于各种电力转换和驱动控制电路中。它具有出色的开关性能和高可靠性,是许多电力电子应用的理想选择。

    技术参数


    以下是 IPP100N06S2-05-VB 的关键技术参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):60 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \):2.0 ~ 3.5 V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \):1.0 μA
    - 最大连续漏极电流 \( ID \):210 A(\( TC \) = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):480 A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \):75 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):281 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \):375 W(\( TC \) = 125 °C)
    - 热阻抗 \( R{thJA} \):40 °C/W(PCB 安装)
    - 工作温度范围:-55 °C ~ +175 °C

    产品特点和优势


    - Halogen-free 材料:根据 IEC 61249-2-21 定义,IPP100N06S2-05-VB 符合无卤素材料要求。
    - 低热阻封装:有助于提高散热效率,增强可靠性和耐用性。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:保证每个产品的质量和性能一致性。
    - 符合 RoHS 规范:确保产品符合欧盟环保标准。

    应用案例和使用建议


    IPP100N06S2-05-VB 可以广泛应用于电源管理、电机驱动和 LED 照明等领域。例如,在电动车充电站中,它可以用于高效能的直流-直流变换器。在电机驱动应用中,它的高电流处理能力和低导通电阻使其成为理想的开关元件。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应考虑其热阻特性,以确保散热效果。
    - 使用脉冲电流时,应注意不要超过额定的最大电流限制。

    兼容性和支持


    IPP100N06S2-05-VB 支持与其他符合 TO-220AB 封装标准的电子元器件和设备的兼容使用。VBsemi 提供全面的技术支持,包括产品咨询、安装指南和技术培训等服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境中,产品表现不佳。
    - 解决方法:检查散热措施,确保良好的热传导路径。

    - 问题:产品在高电流下工作不稳定。
    - 解决方法:增加外部散热片或改进电路设计以减少热负载。

    总结和推荐


    IPP100N06S2-05-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有出色的热管理和稳定的工作性能。它适用于多种电力电子应用,特别适合需要高电流和高可靠性要求的应用场景。强烈推荐在设计高电流电力转换系统时使用该产品。

IPP100N06S2-05-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,9mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 210A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP100N06S2-05-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP100N06S2-05-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP100N06S2-05-VB IPP100N06S2-05-VB数据手册

IPP100N06S2-05-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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