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4N03L06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: 4N03L06-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N03L06-VB

4N03L06-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一种适用于多种应用场合的高性能场效应晶体管(Field Effect Transistor)。该器件采用了先进的TrenchFET® Power MOSFET技术,具有低导通电阻和高电流处理能力,适合于OR-ing电路、服务器和DC/DC转换器等领域。

    技术参数


    以下是该N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 30 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.5 | - | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | 1 | - | µA |
    | 连续漏极电流(TJ = 175°C) | ID | 25.8 | 60 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 94.8 | - | mJ |
    | 最大功耗 | PD | 205 | - | - | W |
    | 热阻抗 | RthJA | 32 | 40 | - | °C/W |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 18 | 27 | - | ns |
    | 上升时间 | tr | 11 | 17 | - | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | 70 | 105 | - | ns |
    | 下降时间 | tf | 10 | 15 | - | ns |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET技术:采用先进工艺,实现低导通电阻和高电流处理能力。
    2. 100% Rg和UIS测试:确保产品的可靠性和一致性。
    3. 符合RoHS标准:绿色环保设计,满足欧洲RoHS指令要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing电路:用于电源系统中的负载均衡。
    - 服务器:提高数据中心电源管理效率。
    - DC/DC转换器:提升转换效率和稳定性。
    使用建议
    - 在选择散热片时,考虑热阻抗参数RthJA,以保证MOSFET的正常运行。
    - 为了确保长期稳定运行,避免超负荷工作,尤其是在高温环境下。

    兼容性和支持


    该产品适用于多种电路设计,可以方便地集成到不同的应用中。VBsemi提供全面的技术支持,包括但不限于产品选型指南、设计参考文档和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机后发热严重 | 确保良好的散热设计,并检查是否有过载现象。 |
    | 运行过程中不稳定 | 检查供电电压是否在规定范围内,并确认电路连接无误。 |
    | 寿命较短 | 定期进行检测,更换老化部件,并确保工作温度不超出限制。 |

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其卓越的性能、稳定的可靠性及广泛的适用范围,在电力管理系统和通信设备等领域具有很高的应用价值。无论是用于高可靠性需求的应用还是普通电路设计,这款产品都是理想的选择。因此,我们强烈推荐此产品给所有寻求高效能、低成本解决方案的工程师和制造商。

4N03L06-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 60A
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4N03L06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N03L06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N03L06-VB 4N03L06-VB数据手册

4N03L06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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