处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF8707GTRPBF-VB

IRF8707GTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: IRF8707GTRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF8707GTRPBF-VB

IRF8707GTRPBF-VB概述

    IRF8707GTRPBF N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF8707GTRPBF 是一款采用TrenchFET®技术的N沟道30-V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它主要适用于高侧同步整流操作,广泛应用于笔记本CPU核心电源管理中的高侧开关。此产品无卤素,所有样品均经过100%测试,确保其可靠性和稳定性。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\):30 V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\):±20 V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流(\(TJ = 150 ^\circ C\)):9 A(\(TC = 25^\circ C\)),7 A(\(TA = 70^\circ C\))
    - 单脉冲雪崩电流:20 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):21 mJ
    - 电阻参数:
    - 导通状态下漏源电阻 \(R{DS(on)}\):0.008 Ω(\(V{GS} = 10 V\)),0.011 Ω(\(V{GS} = 4.5 V\))
    - 电容参数:
    - 输入电容 \(C{iss}\):800 pF(\(V{DS} = 15 V, V{GS} = 0 V\))
    - 输出电容 \(C{oss}\):165 pF
    - 热阻抗参数:
    - 最大结到环境热阻 \(R{th JA}\):55 °C/W
    - 最大结到引脚热阻 \(R{th JF}\):29 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:优化后的漏源电阻(\(R{DS(on)}\))保证了低导通损耗。
    - 可靠测试:所有样品均经过100%栅极电阻测试和单脉冲雪崩测试。
    - 无卤素材料:符合环保要求,降低对环境的影响。
    - 适应性强:宽广的工作温度范围(-55°C至150°C),适用于多种环境条件。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于笔记本电脑的CPU核心电源管理中的高侧开关,提高电源转换效率。
    - 使用建议:为了优化性能,建议选择合适的散热片以减少热阻,并根据负载条件调整栅极驱动电阻以优化开关速度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准SO-8封装,方便安装和使用。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持和产品文档,包括详细的技术手册和常见问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品是否适用于高温环境?
    - 解决方案:是的,产品可承受-55°C至150°C的宽温工作范围,但需注意散热设计以防止过热。
    - 问题2:如何避免电压过冲?
    - 解决方案:使用适当的栅极电阻以控制开关速度,减小电压过冲风险。

    7. 总结和推荐


    IRF8707GTRPBF是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于笔记本CPU核心电源管理中的高侧开关。其优越的电气特性和广泛的适用性使其成为市场上的佼佼者。对于需要高效率和可靠性的应用场景,我们强烈推荐使用此产品。

IRF8707GTRPBF-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 11A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 15V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF8707GTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF8707GTRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF8707GTRPBF-VB IRF8707GTRPBF-VB数据手册

IRF8707GTRPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 29.14
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0