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IRF1010NSTRR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: IRF1010NSTRR-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF1010NSTRR-VB

IRF1010NSTRR-VB概述

    IRF1010NSTRR-VB 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRF1010NSTRR-VB 是一款来自 VBsemi 的 N 沟道 MOSFET,属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这款电子元器件主要用于电源转换、马达控制和其他需要高效率的应用场合。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 125°C 时 65A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 350A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 65A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 211mJ
    - 最高功率耗散: 25°C 时 220W;125°C 时 70W
    - 结温和存储温度范围: -55°C 到 +175°C
    热阻率
    - 结至环境热阻 (RthJA): 40°C/W(安装于PCB上)
    - 结至管壳热阻 (RthJC): 0.65°C/W
    静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0V 至 4.0V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 60V 时为 -1μA
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): 10V 栅源电压时 120A
    动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 7000pF
    - 输出电容 (Coss): 715pF
    - 反向传输电容 (Crss): 360pF
    - 总栅电荷 (Qg): 96nC 至 145nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 24nC
    - 栅极电阻 (Rg): 0.3Ω 至 1.7Ω
    开关时间
    - 开启延迟时间 (td(on)): 16ns 至 24ns
    - 上升时间 (tr): 14ns 至 21ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 34ns 至 51ns
    - 下降时间 (ctf): 9ns 至 14ns

    3. 产品特点和优势


    - 高性能TrenchFET®技术:保证高效的电力传输和低损耗。
    - 低热阻封装:有助于快速散热,提高可靠性和寿命。
    - 严格测试:确保每件产品都经过100%的UIS和Rg测试,确保产品质量和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器:利用其高电流和低电阻特性来提高转换效率。
    - 电机控制:适用于各种电机驱动电路,确保高可靠性。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,需考虑散热设计,确保器件在安全范围内工作。
    - 高速开关应用中,注意减少寄生电容和电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品与市面上多数标准电路板兼容,方便集成。
    支持:
    - VBsemi 提供完善的客户支持和技术咨询,帮助解决使用过程中遇到的技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:器件发热严重
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或使用更大尺寸的PCB以提高散热效果。
    问题2:器件损坏
    - 解决方案:确认输入电压和电流在安全范围内,确保器件不超负荷运行。

    7. 总结和推荐


    总结:
    IRF1010NSTRR-VB 是一款高效且可靠的 N 沟道 MOSFET,具有出色的热管理能力和稳定的性能。适用于多种高电流应用场合。
    推荐:
    强烈推荐使用 IRF1010NSTRR-VB 在需要高效电力传输和高可靠性应用的场合。对于需要高性能 MOSFET 的项目,它是理想的选择。

IRF1010NSTRR-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 150A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF1010NSTRR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF1010NSTRR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF1010NSTRR-VB IRF1010NSTRR-VB数据手册

IRF1010NSTRR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
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