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K7A55D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K7A55D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K7A55D-VB

K7A55D-VB概述


    产品简介


    产品类型: K7A55D 是一款高性能的N-通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能:
    - 高效率电源管理
    - 低开关损耗
    - 低导通电阻
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源供应 (SMPS)
    - 功率因数校正 (PFC) 电源供应
    - 照明系统(如高强度放电灯HID、荧光灯)
    - 工业控制与驱动

    技术参数


    - 最大耐压 \(V{DS}\): 650V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\): ±30V
    - 连续漏极电流 \(ID\): 15A (TC=25°C),10A (TC=100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 需要考虑温度影响
    - 静态导通电阻 \(R{DS(on)}\): 2.7Ω (VGS = 10V, ID = 4A)
    - 最大输入电容 \(C{iss}\): 1100pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 10nC (VGS = 10V, ID = 4A, VDS = 520V)
    - 有效输出电容(能量相关) \(Co(er)\): 不适用
    - 有效输出电容(时间相关) \(Co(tr)\): 不适用
    - 最大单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 97mJ
    - 最大耗散功率 \(PD\): 120W
    - 绝对最大额定值:
    - 最大结壳热阻: 63°C/W
    - 最大结温: 150°C
    - 操作结温和存储温度范围: -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低开关损耗:低栅极电荷和输出电容有助于减少开关过程中的能量损耗。
    - 高可靠性:通过多次重复试验验证了其在高电流和高电压下的稳定性。
    - 广泛的应用领域:适用于多种电力管理系统,提高系统整体能效。
    - 优秀的散热性能:低热阻设计确保了长时间稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 服务器和电信电源供应:需要高性能电源管理和低损耗的场合。
    - 开关模式电源供应 (SMPS):需要高效转换和低纹波噪声的场合。
    - 工业控制:要求精确和可靠的控制信号处理。
    使用建议:
    - 环境温度监控:确保使用环境不超过最高结温,以避免过热导致损坏。
    - 外部栅极电阻选择:根据具体应用需求选择合适的栅极电阻,以降低开关损耗。
    - 散热设计:使用有效的散热设计,如散热片或风扇,以保持良好的散热性能。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品适用于各种开关电源模块和其他类似设备。
    - 推荐与其他高可靠性和高性能电子元件搭配使用,确保系统的稳定性和可靠性。
    支持与维护:
    - 可通过电话(400-655-8788)或官方网站获取技术支持。
    - 提供详尽的产品手册和技术文档,方便用户进行安装和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问:产品在高温环境下无法正常工作?
    - 解决方案:检查环境温度是否超过规定值,如有必要,请增加散热措施。

    2. 问:栅极电荷过高导致能耗增加?
    - 解决方案:优化栅极电阻的选择,适当减小栅极电荷。

    3. 问:出现频繁的开关损耗?
    - 解决方案:调整开关频率或选用更高效的开关控制策略。

    总结和推荐


    综合评估:
    - K7A55D 具有出色的导通特性和低损耗,适用于多种电力管理应用场景。
    - 其高可靠性、易于维护和支持特性使其成为市场上的优秀产品。
    推荐:
    - 推荐用于需要高效、低损耗电源管理的场合,特别是在服务器、电信电源、工业控制等领域。
    - 作为一款高性能的N-通道功率MOSFET,K7A55D 在复杂且苛刻的工作环境中表现出色,是值得信赖的选择。

K7A55D-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K7A55D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K7A55D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K7A55D-VB K7A55D-VB数据手册

K7A55D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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