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IPA50R199CP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: IPA50R199CP-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPA50R199CP-VB

IPA50R199CP-VB概述

    IPA50R199CP-VB 技术手册综述

    1. 产品简介


    IPA50R199CP-VB 是一款 N 沟道 650V(D-S)超级结功率 MOSFET。这种 MOSFET 以其低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和较低的开关损耗及传导损耗而闻名。它广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2V 至 5V
    - 零栅源电压下的漏极电流 (IDSS):-1 μA(TJ = 125 °C)
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.19Ω(VGS = 10V,ID = 11A)
    - 输入电容 (Ciss):2322 pF
    - 输出电容 (Coss):105 pF
    - 反向传输电容 (Crss):-4 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):106 nC(VGS = 10V)
    - 栅源电荷 (Qgs):14 nC
    - 栅极电荷 (Qgd):33 nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):650V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (ID):25 °C 时为 20A,100 °C 时为 13A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):高达 360 mJ
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 热阻率 (RthJA):62 °C/W
    - 热阻率 (RthJC):5 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):0.19Ω,适用于需要高效能转换的应用。
    - 低输入电容 (Ciss):2322 pF,有助于降低开关损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg):106 nC,减少开关过程中功耗。
    - 重复脉冲能量等级 (EAS):360 mJ,适用于高可靠性应用。
    - 超低门极电荷 (Qg):减少开关损耗和提高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用领域:
    - 服务器和电信电源:用于提高电源转换效率。
    - 开关模式电源 (SMPS):利用其低损耗特性提高整体系统效率。
    - 功率因数校正 (PFC):提供高效的 PFC 解决方案。
    - 照明:如高强度放电灯 (HID) 和荧光灯驱动器。
    - 工业应用:如电机控制和电源管理。
    - 使用建议:
    - 确保使用过程中温度不超过最高工作温度。
    - 在电路设计时考虑散热措施以确保长期可靠运行。
    - 使用适当的栅极驱动电路以最小化栅极电压波动。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于多种电源和控制系统的设计,且具有良好的可靠性。
    - 支持:台湾 VBsemi 电子有限公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和产品文档下载。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:过温保护:
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保达到热阻率要求。
    - 问题 2:开关损耗高:
    - 解决方案:优化栅极驱动信号,确保最小化栅极电荷 (Qg)。
    - 问题 3:击穿电压不足:
    - 解决方案:在电路设计中增加适当的保护措施,避免超过额定击穿电压 (VDS)。

    7. 总结和推荐


    IPA50R199CP-VB 是一款性能卓越的 N 沟道 650V 功率 MOSFET,适用于多种电力应用。其低导通电阻、低输入电容和低开关损耗使其在高效能电源转换和高可靠性应用中表现出色。对于需要高效率和可靠性的应用,强烈推荐使用此产品。如需进一步技术支持,可以联系台湾 VBsemi 官方服务热线 400-655-8788 或访问其官网 www.VBsemi.com 获取更多信息。
    通过以上内容,您将对 IPA50R199CP-VB 这款 N 沟道 650V 功率 MOSFET 的性能和应用有了全面了解,并且可以在实际项目中更合理地选择和使用此产品。

IPA50R199CP-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IPA50R199CP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPA50R199CP-VB数据手册

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IPA50R199CP-VB封装设计

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