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UF8010G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: UF8010G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF8010G-TA3-T-VB

UF8010G-TA3-T-VB概述

    UF8010G-TA3-T N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UF8010G-TA3-T 是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有100V的漏源电压(D-S)耐压能力。它适用于各种电源管理、电机控制和其他电力电子应用。该产品采用先进的TrenchFET® Power MOSFET技术,能够承受高达175°C的结温,符合RoHS标准。

    2. 技术参数


    以下是UF8010G-TA3-T的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏电流(TJ=150°C) | ID | 100 A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 300 A |
    | 击穿电压 | VDS | 100 V |
    | 通态漏源电阻(VGS=10V) | RDS(on) | 0.009 Ω |
    | 通态漏源电阻(VGS=4.5V) | RDS(on) | 0.020 Ω |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | 1 50 | µA |
    | 饱和电流 | IS | 85 A |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:最高结温可达175°C,适合高温环境下的应用。
    - 低导通电阻:在10V栅源电压下,导通电阻仅为0.009Ω,在4.5V栅源电压下为0.020Ω。
    - 快速开关速度:具有良好的动态性能,包括极低的输入电容(4700pF)、输出电容(665pF)和反向转移电容(265pF)。
    - 高击穿电压:耐压100V,适用于多种高压应用场合。
    - 兼容RoHS:符合环保标准,对环境友好。

    4. 应用案例和使用建议


    UF8010G-TA3-T MOSFET广泛应用于开关电源、直流电机驱动、太阳能逆变器等领域。在实际使用中,建议注意以下几点:
    - 在高温环境下使用时,确保散热良好,以避免温度过高影响性能。
    - 注意在电路设计时合理配置栅极电阻,以防止开关过程中出现振铃现象。
    - 在设计高压电路时,考虑MOSFET的最高工作电压限制。

    5. 兼容性和支持


    UF8010G-TA3-T 采用TO-220AB封装,可以方便地安装在标准散热器上。此外,VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档和应用指南,客户可以在其官方网站上下载相关资料。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何选择合适的栅极电阻?
    - A: 通常选择10Ω到100Ω之间的电阻值。如果需要更好的瞬态响应,可以选择更低的电阻值;如果希望减小功耗,则可以选择更高的电阻值。

    - Q: 在高温环境下工作时需要注意什么?
    - A: 确保散热良好,减少热阻,避免长时间超过最大工作温度,否则可能会影响MOSFET的寿命。

    7. 总结和推荐


    UF8010G-TA3-T是一款高性能的N沟道MOSFET,以其低导通电阻、高击穿电压和出色的动态性能,在多种电力电子应用中表现出色。推荐在需要可靠性和高效性能的应用场景中使用此产品,特别是在工业和汽车电子领域。

UF8010G-TA3-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

UF8010G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF8010G-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF8010G-TA3-T-VB UF8010G-TA3-T-VB数据手册

UF8010G-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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