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K2049-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220\n一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: K2049-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2049-VB

K2049-VB概述

    # K2049-VB N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2049-VB 是一款高性能的 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 VBsemi 公司生产。这种 MOSFET 主要应用于电力转换、电源管理、开关电路等领域。其特点在于高温度适应性和高电流承载能力,适用于各种严苛的工作环境。

    技术参数


    K2049-VB 的主要技术参数如下表所示:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1 | 3 | - | V |
    | 门体漏电流 | IGSS | ± 100 | - | nA |
    | 零门压漏电流 | IDSS | 1 | - | 250 | µA |
    | 导通电流 | ID(on) | 60 | - | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.011 | 0.014 | 0.018 | Ω |
    | 转导电容 | gf | 60 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | 420 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | 570 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 325 | - | pF |
    | 总门电荷 | Qg | 4 | 7 | nC |
    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 门极-源极电压 | VGS | ± 20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 60 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | 136 | W |
    | 工作和存储温度范围 | TJ | -55 至 175 | °C |

    产品特点和优势


    K2049-VB 的主要优势在于:
    - 高耐热性:能够在高达 175°C 的温度下正常工作,适合在高温环境下应用。
    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,提高了电流处理能力和可靠性。
    - 高可靠性:在各种极端条件下仍能保持良好的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K2049-VB 在电力转换和开关电源系统中表现优异。例如,在太阳能逆变器中,其高电流承载能力和低导通电阻可以显著提高效率。
    使用建议
    为了充分利用 K2049-VB 的优势,建议在设计时考虑以下几点:
    - 散热设计:由于其功率较大,需要确保良好的散热设计以避免过热。
    - 布局优化:合理的 PCB 布局可以减少寄生电容,进一步提高性能。
    - 驱动电路设计:选用合适的驱动电路以实现快速开关,减少能量损失。

    兼容性和支持


    K2049-VB 支持标准 TO-220AB 封装,与其他同类型封装的电子元件具有较好的兼容性。VBsemi 公司提供了详细的文档和技术支持,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不足导致过温报警 | 加强散热措施,如增加散热片或风扇 |
    | 开关速度慢 | 检查驱动电路设计,优化布线 |
    | 输出电流不稳定 | 检查负载和电源电压是否稳定 |

    总结和推荐


    综上所述,K2049-VB N-Channel 60-V MOSFET 在电力转换和开关电源应用中表现出色,具备高耐热性和可靠性的特点。对于需要在高温环境中工作的设计项目,强烈推荐使用 K2049-VB。其出色的性能和 VBsemi 提供的技术支持使其成为同类产品中的佼佼者。

K2049-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 60A
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2049-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2049-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2049-VB K2049-VB数据手册

K2049-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
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500+ ¥ 2.5919
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