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4302G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: 4302G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4302G-VB

4302G-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款采用TrenchFET®技术的高性能功率MOSFET。它广泛应用于电源管理、服务器系统以及直流到直流转换等领域。这款MOSFET具有卓越的性能和可靠性,适用于多种工业应用。

    技术参数


    - VDS(漏源电压): 30V
    - RDS(on)(导通电阻):
    - 在VGS=10V时为0.005Ω
    - 在VGS=4.5V时为0.006Ω
    - ID(连续漏极电流):
    - 当TA=25°C时为25.8A
    - 当TA=70°C时为22A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 250A
    - 最大瞬态热阻(RthJA):
    - 最小值:32°C/W
    - 最大值:40°C/W
    - 最大结温(TJ): 175°C
    - 连续栅源泄漏电流(IGSS): ±100nA
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 1.0~2.5V

    产品特点和优势


    1. 高效率:低导通电阻(RDS(on))确保了更高的能效,从而减少功耗。
    2. 高可靠性:经过100% Rg和UIS测试,保证了产品的高可靠性和稳定性。
    3. 环保合规:符合RoHS标准,满足严格的环保要求。
    4. 广泛的适用性:适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换等多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源管理:在服务器电源管理系统中,该MOSFET可以作为高效的开关组件,确保系统的稳定运行。
    - DC/DC转换:用于直流到直流的电源转换过程中,提供可靠的电能转换。
    - OR-ing应用:在多个电源并联供电时,该MOSFET可作为保护开关,防止电源反接导致的故障。
    使用建议
    - 散热设计:在高温环境下使用时,建议采取有效的散热措施,如使用散热片或增加散热面积,以确保MOSFET的工作温度不超过安全范围。
    - 驱动电路设计:合理设计驱动电路,确保栅极驱动信号的幅度和频率符合要求,以避免过高的栅极损耗。

    兼容性和支持


    - 封装:采用TO-252封装,易于安装和焊接。
    - 兼容性:与其他标准TO-252封装的器件兼容,方便替代和集成。
    - 支持:厂商提供了详细的技术文档和支持,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致MOSFET过热损坏。
    - 解决方案:增加散热措施,如增加散热片或改善散热路径。
    2. 问题:驱动电压不稳定导致开关性能下降。
    - 解决方案:检查并优化驱动电路,确保驱动电压稳定且满足产品规格要求。
    3. 问题:电源纹波过大影响正常工作。
    - 解决方案:在电路中加入滤波电容,降低输入电源的纹波,确保稳定的供电环境。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 以其卓越的性能、可靠的稳定性和广泛的适用性,在工业应用中表现出色。其高效的能量转换能力和优良的温度控制能力使其成为电源管理和服务器系统中的理想选择。我们强烈推荐此款MOSFET用于需要高效率和高可靠性的应用环境中。

4302G-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 60A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4302G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4302G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4302G-VB 4302G-VB数据手册

4302G-VB封装设计

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