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4505M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: 4505M-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4505M-VB

4505M-VB概述


    产品简介


    N-和P-沟道30V MOSFET
    VBsemi公司推出的N-和P-沟道30V(D-S)MOSFET是一种高性能功率场效应晶体管,适用于多种应用场合。其核心特点是采用了TrenchFET®技术,保证了卓越的开关性能和低导通电阻,使其成为移动电源管理、电机驱动和其他需要高效能电源转换的应用的理想选择。

    技术参数


    N-Channel MOSFET
    - 栅源电压范围: ±20 V
    - 漏极-源极电压: 30 V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - 8e A (TC = 25 °C)
    - 6.8 A (TC = 70 °C)
    - 6.8 A (TA = 25 °C)
    - 6.8 A (TA = 70 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (10 µs脉冲宽度): 40 A
    - 零栅压漏极电流 (TJ = 55 °C): 10 µA
    - 导通状态电阻 (VGS = 10 V, ID = 6.8 A): 0.018 Ω
    - 总门极电荷 (VDS = 20 V, VGS = 10 V, ID = 10 A): 6 nC
    - 热阻 (最大, RthJA): 50 °C/W (TC = 25 °C)
    P-Channel MOSFET
    - 栅源电压范围: ±20 V
    - 漏极-源极电压: 30 V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - 8e A (TC = 25 °C)
    - 6.8 A (TC = 70 °C)
    - 6.8 A (TA = 25 °C)
    - 6.8 A (TA = 70 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (10 µs脉冲宽度): 40 A
    - 零栅压漏极电流 (TJ = 55 °C): -10 µA
    - 导通状态电阻 (VGS = -10 V, ID = -8 A): 0.040 Ω
    - 总门极电荷 (VDS = -20 V, VGS = -10 V, ID = -10 A): 41.5 nC
    - 热阻 (最大, RthJA): 47 °C/W (TC = 25 °C)

    产品特点和优势


    N-Channel MOSFET
    - 低导通电阻: 在不同门极电压下的导通电阻最小可达0.018 Ω,使得在高电流环境下能保持较低的功耗。
    - 快速开关性能: 在各种门极电压下均有优异的开关速度,能够有效减少开关损耗。
    - 高可靠性: 所有样品均经过100%的Rg和UIS测试,确保产品可靠性。
    P-Channel MOSFET
    - 宽工作温度范围: 可在-55到150°C的温度范围内稳定工作,适用于极端环境条件。
    - 高集成度: 小型封装,方便在电路板上安装,节省空间。
    - 出色的热管理: 具有较高的热阻性能,可有效散热,提升使用寿命。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于多种应用场景,例如:
    - 电机驱动:利用其低导通电阻和高开关频率特性,可以实现高效的能量转换和精确的速度控制。
    - 移动电源:在紧凑的空间内提供强大的电源管理能力,满足高功率需求。
    使用建议:
    - 确保在设计电路时充分考虑其热管理,合理安排散热片,以避免过热。
    - 在高温环境下使用时,需注意其电流额定值可能受到限制,确保不超过规定值。

    兼容性和支持


    该MOSFET产品具有良好的兼容性,可以与其他标准SO-8封装的电子元件配合使用。厂商提供了详尽的技术文档和在线支持,为用户提供全方位的服务保障。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确安装和焊接该MOSFET?
    解答:确保使用适当的焊接温度和时间,避免过热损坏MOSFET。建议使用回流焊工艺,确保均匀加热并避免产生冷焊点。
    问题2:产品的工作温度范围有限制吗?
    解答:该MOSFET可以在-55到150°C的温度范围内稳定工作。但在高温环境下,需关注其电流额定值,避免超过限制。

    总结和推荐


    N-和P-沟道30V MOSFET是VBsemi公司的一款高性能产品,凭借其低导通电阻、高可靠性和广泛的适用范围,在众多电力电子应用中表现出色。对于需要高效电源管理和精准控制的电路设计,这款产品无疑是最佳选择。强烈推荐在各类电源管理系统中使用此款MOSFET。

4505M-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 N+P沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 9A,6A
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

4505M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4505M-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4505M-VB 4505M-VB数据手册

4505M-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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