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2SJ326-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252 可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: 2SJ326-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ326-Z-VB

2SJ326-Z-VB概述


    产品简介


    本文介绍的是VBsemi公司生产的2SJ326-Z型P沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET)。这款器件具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适用于多种负载开关应用。其独特的TrenchFET® Power MOSFET技术使其具备较高的可靠性,并且通过100% UIS测试以确保质量。

    技术参数


    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): -60V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): -1.0V 至 -3.0V
    - 零栅源电压下的漏电流 (IDSS): -1 μA(TJ = 125°C),-50 μA(TJ = 175°C)
    - 最大连续漏电流 (ID): -30A
    - 脉冲漏电流 (IDM): -25A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 7.2mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 34W(TC = 25°C),4W(TA = 25°C)
    - 热阻抗 (RthJA): 20°C/W(瞬态),62°C/W(稳态)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 栅电荷 (Qg): 10nC(VDS = -30V,VGS = -10V,ID = -8.4A)
    - 输入电容 (Ciss): 1000pF(VDS = -25V,VGS = 0V,f = 1MHz)

    产品特点和优势


    2SJ326-Z的优势在于其出色的可靠性和稳定性,其独特的TrenchFET® Power MOSFET技术能够有效降低导通电阻,提高效率。此外,通过100% UIS测试确保了器件在各种条件下的可靠性,使其成为工业和消费电子产品中理想的负载开关解决方案。

    应用案例和使用建议


    2SJ326-Z广泛应用于负载开关领域,例如电源管理、电机控制和电池充电器等。在实际使用中,用户需要确保器件的使用环境符合其工作温度范围(-55°C至175°C),并合理选择散热措施以避免过热。例如,在设计电路时,可以考虑添加适当的散热片来提高器件的散热效果。

    兼容性和支持


    2SJ326-Z采用TO-252封装,适用于表面贴装工艺,能够很好地与其他标准SMD元件兼容。制造商VBsemi提供了详尽的技术支持和售后服务,用户可以通过服务热线400-655-8788获取技术支持和产品咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的工作温度导致器件失效
    - 解决方案:在电路设计中加入散热片或散热器,以改善散热效果。
    2. 问题:高频工作条件下,器件表现不佳
    - 解决方案:增加栅极电阻以减小寄生电感的影响,从而提高频率响应。
    3. 问题:栅极驱动电压不稳定
    - 解决方案:确保栅极驱动电路的稳定性和滤波电容的适当选择,减少电压波动。

    总结和推荐


    综上所述,2SJ326-Z是一款性能优异、可靠性高的P沟道MOSFET。其低导通电阻、高电流处理能力和优秀的热稳定性使其成为众多应用领域的理想选择。如果您的项目需要高性能、可靠的负载开关解决方案,2SJ326-Z无疑是值得推荐的产品。

2SJ326-Z-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 38A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ326-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ326-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ326-Z-VB 2SJ326-Z-VB数据手册

2SJ326-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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