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KIA75NF75-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: KIA75NF75-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KIA75NF75-VB

KIA75NF75-VB概述

    KIA75NF75 N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KIA75NF75 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 类型。它广泛应用于主侧开关、同步整流、DC/AC 逆变器和 LED 背光等领域。其独特的设计使其在高效能电子设备中发挥重要作用。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DS}\):80 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\):±20 V
    - 连续漏极电流(\(TJ = 150^\circ \text{C}\)):
    \(TC = 25^\circ \text{C}\),\(ID = 28.6\) A
    \(TA = 70^\circ \text{C}\),\(ID = 24.9\) A
    - 脉冲漏极电流(\(\tau = 100 \mu s\)):\(I{DM} = 350\) A
    - 最大功率耗散:
    \(TC = 25^\circ \text{C}\),\(PD = 180\) W
    \(TA = 70^\circ \text{C}\),\(PD = 120\) W
    - 最高工作结温和存储温度范围:\(-55^\circ \text{C}\) 到 \(150^\circ \text{C}\)
    - 标准规格(\(TJ = 25^\circ \text{C}\)):
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\):80 V
    - 门源阈值电压 \(V{GS(th)}\):2.0 V 至 3.5 V
    - 零门电压漏极电流 \(I{DSS}\):1 \(\mu\)A(\(V{DS} = 80 \text{V}, V{GS} = 0 \text{V}\))
    - 开启状态漏极电流 \(I{D(on)}\):85 A
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 \text{V}\),\(ID = 20 \text{A}\),\(R{DS(on)} = 7 \text{m}\Omega\)
    - \(V{GS} = 4.5 \text{V}\),\(ID = 10 \text{A}\),\(R{DS(on)} = 9 \text{m}\Omega\)

    3. 产品特点和优势


    KIA75NF75 的主要特点包括:
    - 使用 TrenchFET® 技术,实现低导通电阻和高效能。
    - 通过 100% 门栅电阻 \(Rg\) 和 UIS 测试,确保高可靠性。
    - 适用于广泛的工业应用,如电源转换、LED 背光等。
    - 具有优异的热阻性能,适合高温环境下的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    KIA75NF75 在各种应用场景中表现优异,例如:
    - 主侧开关:适合需要高频开关的场合。
    - 同步整流:可以降低开关损耗,提高效率。
    - LED 背光:提供高效率且稳定的驱动电流。
    使用建议:
    - 在设计应用时,考虑使用散热器以优化热管理。
    - 确保正确连接电路,避免门源电压过高造成损坏。

    5. 兼容性和支持


    KIA75NF75 与大多数主流 PCB 设计兼容,便于集成到现有系统中。VBsemi 提供详尽的技术支持,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 漏极电流超过额定值会怎样?
    - A: 超过额定电流可能导致过热甚至损坏。建议使用合适的限流电路和散热措施。
    - Q: 如何确保 MOSFET 不会过热?
    - A: 使用合适的散热器,定期检查温升,确保不超过最大额定值。

    7. 总结和推荐


    KIA75NF75 N-Channel MOSFET 是一款高效能、可靠的电子元件,在多种应用场景中表现出色。其优异的导通电阻和耐高温特性使其成为电源管理和 LED 背光领域的理想选择。强烈推荐给需要高可靠性和高性能的工程师和设计师。

KIA75NF75-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KIA75NF75-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KIA75NF75-VB数据手册

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KIA75NF75-VB封装设计

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