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U2N60HA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: U2N60HA-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) U2N60HA-VB

U2N60HA-VB概述

    U2N60HA N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    U2N60HA 是一款由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具有低栅极电荷(Qg)、改善的栅极耐久性和动态dv/dt鲁棒性等特点。其广泛应用于开关电源、电机驱动和照明系统等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 持续漏极电流(TC = 25°C) | ID | - | 1.28 | - | A |
    | 冲击漏极电流 | IDM | - | 8 | - | A |
    | 雪崩能量 | EAS | - | 165 | - | mJ |
    | 重复雪崩电流 | IAR | - | 2 | - | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | - | 6 | - | mJ |
    | 最大功耗(TC = 25°C) | PD | - | 45 | - | W |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | - | 65 | - | °C/W |
    | 热阻抗(结到外壳) | RthJC | - | 2.1 | - | °C/W |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 开启电阻 | RDS(on)(VGS = 10 V) | - | 5 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 417 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 45 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 5 | - | pF |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:降低了驱动需求,提高了电路设计的灵活性。
    - 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性:增强了产品在高频率和高动态变化条件下的可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压及电流:确保了产品的一致性和可靠性。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC:满足环保要求,适用于全球市场。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:U2N60HA 在高效率的开关电源设计中表现出色,特别是在高频场合下。
    - 电机驱动:适用于需要精确控制和高速响应的电机驱动应用。
    - 照明系统:可用于LED驱动器,提供高效的电流控制。
    使用建议:
    - 设计时考虑散热问题,确保MOSFET工作温度在安全范围内。
    - 使用低杂散电感和地平面的布局,以减少信号干扰和提高稳定性。

    5. 兼容性和支持


    U2N60HA 与多种电路和系统兼容,能够与其他电子元器件和设备无缝集成。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够在实际应用中获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过高 | 检查电路设计,增加散热措施 |
    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻,优化驱动电路 |
    | 温度异常升高 | 增加散热片或使用散热膏 |

    7. 总结和推荐


    U2N60HA 是一款高性能的N-Channel MOSFET,具备低栅极电荷、增强的鲁棒性以及优秀的散热能力。它在开关电源、电机驱动和照明系统等多个领域都有广泛应用。其出色的性能和可靠的设计使其成为许多工程师的首选。强烈推荐在需要高效、可靠功率控制的应用中使用此产品。

U2N60HA-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

U2N60HA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

U2N60HA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 U2N60HA-VB U2N60HA-VB数据手册

U2N60HA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
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