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UPA1916TE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA1916TE-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1916TE-VB

UPA1916TE-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    这种P沟道30伏(漏-源)金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET)是VBsemi公司推出的一款高性能产品。这款MOSFET采用TrenchFET®技术制造,具有低导通电阻和高可靠性等特点,广泛应用于负载开关等电力管理系统中。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏-源电压 (VDS): 30 V
    - 栅-源电压 (VGS): ± 20 V
    - 持续漏电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C: 4.8 A
    - TC = 70°C: 4.1 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 20 A
    - 最大功率耗散:
    - TC = 25°C: 3.0 W
    - TC = 70°C: 2.0 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 至 150 °C
    - 电气特性:
    - 漏-源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS): -1 μA
    - 漏-源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V, ID = -4.1 A: 0.049 Ω
    - VGS = -4.5 V, ID = -1.0 A: 0.054 Ω
    - 动态电容:
    - 输入电容 (Ciss): 450 pF
    - 输出电容 (Coss): 80 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 63 pF

    产品特点和优势


    这款P-Channel 30-V MOSFET的主要特点是:
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 使得功耗更低,效率更高。
    - 高可靠性: TrenchFET®技术提高了器件的耐久性。
    - 宽温度范围: 可以在极端环境下稳定运行。
    - 低漏电流: 在无栅极电压时几乎无漏电流,确保了设备的安全性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关: 此MOSFET常用于需要高效开关的电力系统中,如服务器电源管理和电动汽车充电站。
    - 储能系统: 可用于储能系统的能量管理和分配。
    使用建议
    - 在设计电路时,应考虑MOSFET的工作环境温度,特别是在高温环境下应降低电流以避免过热。
    - 确保散热措施到位,以延长使用寿命并保持良好的性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与大多数标准电路板设计兼容,适合表面贴装技术(SMT)。
    - 支持: VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定最佳工作电压?
    - A: 请参考技术手册中的“静态”部分,根据不同的漏-源电压 (VDS) 和栅-源电压 (VGS),选择合适的参数。

    - Q: 如何处理发热问题?
    - A: 确保在设计中加入有效的散热措施,如使用散热片或风扇,以避免过热损坏。

    - Q: 为什么漏电流很小?
    - A: 这是因为采用了TrenchFET®技术,有效减少了无栅极电压时的漏电流,增加了设备的可靠性。

    总结和推荐


    总结:
    P-Channel 30-V MOSFET是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,具有低导通电阻、高可靠性、宽温度范围等特点。特别适用于需要高效开关的应用,如负载开关和储能系统。
    推荐:
    强烈推荐使用这款产品。它在各种应用中表现出色,尤其是在高可靠性要求的应用中。此外,VBsemi公司提供了全面的技术支持和文档,便于用户进行设计和部署。

UPA1916TE-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4.8A
配置 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1916TE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1916TE-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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UPA1916TE-VB封装设计

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