处理中...

首页  >  产品百科  >  K65E10N1-VB

K65E10N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K65E10N1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K65E10N1-VB

K65E10N1-VB概述

    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款N-沟道100V(漏-源)功率MOSFET,采用了ThunderFET®技术。它适用于各种高效率电源转换和驱动电路,如开关电源、电机驱动、通信设备、工业自动化系统等。ThunderFET®技术使其在高温下具有卓越的性能和可靠性。

    技术参数


    以下是该MOSFET的主要技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):100V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TC = 25°C):120A
    - 脉冲漏极电流 (t = 100μs):480A
    - 雪崩电流 (IAS):73A
    - 单次雪崩能量 (EAS):266mJ
    - 最大功耗 (TC = 25°C):370W
    - 最大功耗 (TC = 125°C):120W
    - 结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 热阻 (RthJA):40°C/W (PCB安装)
    - 热阻 (RthJC):0.4°C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性和耐温性:工作温度范围为-55°C至+175°C,适合极端环境应用。
    - 快速开关能力:具备快速的开关速度,提高电路效率。
    - 高电流承载能力:连续漏极电流高达120A,脉冲漏极电流可达480A。
    - 低导通电阻:在VGS = 10V时,导通电阻仅为0.005Ω,确保高效的能量传输。
    - 高雪崩电流:支持高达73A的雪崩电流,增强了可靠性。
    - ThunderFET®技术:独特的技术设计使得MOSFET在高温下保持良好的性能。

    应用案例和使用建议


    此MOSFET适用于多种应用场合,例如:
    - 开关电源:高效能的开关电源转换。
    - 电机驱动:用于电动机的驱动和控制。
    - 通信设备:电源管理和信号处理。
    使用建议:
    - 确保在高电流应用中提供足够的散热措施。
    - 避免长时间超过绝对最大额定值操作,以保证设备可靠性。
    - 考虑使用PCB材料和尺寸的优化,确保热阻最小化。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET与大多数标准PCB布局兼容,支持各种电路板设计。
    - 支持:提供详细的技术手册和使用指南,确保客户能够顺利集成到其系统中。如有任何疑问,可联系VBsemi的服务热线(400-655-8788)获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保在高电流应用中MOSFET不会过热?
    - 答:确保提供充足的散热措施,如使用大散热片和增加散热孔。遵循手册中提供的热管理建议。
    2. 问:如何验证MOSFET的工作温度是否合适?
    - 答:通过测量电路的温度来确认,可以使用热电偶传感器或其他温度监测设备。
    3. 问:在极端温度条件下MOSFET能否正常工作?
    - 答:是的,本产品可以在-55°C至+175°C的温度范围内正常工作。但需确保设计时考虑极端条件下的热管理。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 100V (D-S) MOSFET具有出色的性能和广泛的应用前景。其高可靠性、快速开关能力和优异的散热性能使其成为电力转换和驱动应用的理想选择。强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高效能和高可靠性电路设计中。

K65E10N1-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,19mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K65E10N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K65E10N1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K65E10N1-VB K65E10N1-VB数据手册

K65E10N1-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.1228
100+ ¥ 5.6693
500+ ¥ 5.4425
1000+ ¥ 5.2158
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 61.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336