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AFP2307AS23RG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: AFP2307AS23RG-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AFP2307AS23RG-VB

AFP2307AS23RG-VB概述


    产品简介


    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 是一种用于多种电力应用的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种类型的MOSFET具有出色的耐热性和可靠性,广泛应用于负载开关、功率放大器开关和DC/DC转换器等领域。该产品的主要功能包括高效率、低导通电阻和快速开关速度,使其成为现代电子设计的理想选择。

    技术参数


    以下是该P-Channel 20-V (D-S) MOSFET的技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | -20 | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | -0.5 | - | 1.5 | V |
    | 门源漏电流 | IGSS | ±100 | - | - | nA |
    | 门源电荷 | Qgs | - | 1.7 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 3.4 | - | nC |
    | 端子电容 | Ciss | - | 835 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 180 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 155 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 10 | - | nC |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.035 | - | Ω |
    | 功耗 | PD | - | 2.5 | - | W |
    | 绝对最大温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    该P-Channel 20-V (D-S) MOSFET具备多项显著特点和优势:
    - 低导通电阻:典型值为0.035Ω(在VGS = -10V时),确保低损耗和高效能。
    - 高电流能力:连续漏电流高达5A(在TJ = 25°C时),适用于高功率应用。
    - 快速开关速度:门源电荷低,典型值为10nC,使开关频率更高。
    - 耐用性和可靠性:通过100% Rg测试,确保可靠性和一致性。
    - 环保合规:符合RoHS标准和无卤素要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:在电源管理系统中,P-Channel 20-V (D-S) MOSFET可作为高效开关使用,减少能量损耗。
    - PA开关:在无线通信设备中,利用其快速开关特性,提高功率放大器的工作效率。
    - DC/DC转换器:在电压调节模块中,它能够提供稳定的电源输出,适用于各种电子设备。
    使用建议
    - 在使用该MOSFET时,应注意其工作温度范围(-55°C至150°C),以避免过热导致的失效。
    - 确保散热良好,特别是在高功率应用中,可采用适当的散热措施,如使用散热片或散热风扇。

    兼容性和支持


    该产品与其他SOT-23封装的MOSFET具有良好的兼容性,便于电路板设计和替换。VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和定期的软件更新,确保用户能够充分利用该产品的功能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定该MOSFET是否适合特定应用?
    - 解决方案:根据具体应用的要求,检查产品的电气特性和工作环境条件,确保满足应用需求。
    2. 问题:MOSFET的温度范围是否有限制?
    - 解决方案:该MOSFET的正常工作温度范围为-55°C到150°C,超出此范围可能会影响其性能和寿命。确保工作温度在规定的范围内。
    3. 问题:如何解决MOSFET的过热问题?
    - 解决方案:如果发现过热问题,可以增加散热装置,如散热片或散热风扇,并确保良好的通风环境。

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel 20-V (D-S) MOSFET凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关速度,成为众多电子设备的理想选择。其高可靠性、环保合规性和广泛的适用范围,使其在市场上具有较强的竞争力。因此,我们强烈推荐此款产品用于需要高效、可靠的电子系统设计。

AFP2307AS23RG-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 12V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

AFP2307AS23RG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AFP2307AS23RG-VB数据手册

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