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4432GM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: 4432GM-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4432GM-VB

4432GM-VB概述


    产品简介


    本篇技术手册介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(场效应晶体管)。这款MOSFET采用TrenchFET®工艺制造,主要用于高边同步整流操作,适用于笔记本电脑CPU核心的高边开关电路。该产品具有无卤素、高可靠性等特点,通过100% Rg和UIS测试,确保产品的质量和稳定性。

    技术参数


    - 漏源电压 \(V{DS}\): 最大值为30V。
    - 栅源电压 \(V{GS}\): 绝对最大值为±20V。
    - 连续漏极电流 \(ID\):
    - 在\(TJ=25^\circ C\)时为13A。
    - 在\(TJ=70^\circ C\)时为7A。
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 最大值为45A。
    - 体二极管连续源极电流 \(IS\):
    - 在\(TC=25^\circ C\)时为3.7A。
    - 在\(TA=25^\circ C\)时为2.0A。
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 最大值为20A。
    - 雪崩能量 \(E{AS}\): 最大值为21mJ。
    - 最大功率耗散 \(PD\):
    - 在\(TC=25^\circ C\)时为4.1W。
    - 在\(TC=70^\circ C\)时为2.5W。
    - 工作温度范围:
    - 结温与存储温度范围为\(-55^\circ C\)至\(150^\circ C\)。

    产品特点和优势


    - 无卤素材料:环保设计,符合RoHS标准。
    - TrenchFET®技术:优化高边同步整流操作。
    - 全检测试:100% Rg和UIS测试确保质量。
    - 高温耐受性:可在极端温度下可靠工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例:笔记本电脑CPU核心高边开关。这种设计能有效提升电源管理效率,特别是在低功耗和小体积要求较高的应用场景中。
    使用建议:
    1. 散热设计:由于该MOSFET在高电流情况下会产生较多热量,需要良好的散热设计来保持其稳定工作。
    2. 驱动电路设计:合适的驱动电路设计能够优化开关性能,提高系统效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种驱动电路和电源管理系统,具体参数需根据应用场景调整。
    - 支持:提供详尽的技术手册和客户支持,包括样品、测试板和详细的设计指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热。解决方案:检查散热片安装是否正确,增加风扇或其他冷却措施。
    - 问题2:导通电阻异常增大。解决方案:检查驱动信号电压是否正常,确保驱动电路稳定。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET以其优异的性能和可靠的制造工艺,在高边同步整流应用中表现出色。特别是其无卤素材料和高温耐受性,使其在环保和长期稳定性方面具有明显优势。因此,强烈推荐在笔记本电脑和其他高可靠性要求的应用中使用该产品。

4432GM-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4432GM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4432GM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4432GM-VB 4432GM-VB数据手册

4432GM-VB封装设计

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