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BSZ040N04LS G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,40V;40A;RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
供应商型号: BSZ040N04LS G-VB DFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BSZ040N04LS G-VB

BSZ040N04LS G-VB概述

    BSZ040N04LS G-VB N-Channel 40 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    BSZ040N04LS G-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道40V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的TrenchFET®工艺,具有高可靠性和卓越的性能。这种MOSFET主要用于同步整流、同步降压转换器、ORing电路、负载开关及电机驱动等领域。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 40V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大连续漏电流 (ID): 40A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 100A
    - 最大耗散功率 (PD): 52W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 40V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS=10V时为0.0045Ω
    - 在VGS=4.5V时为0.0062Ω
    - 零门电压漏电流 (IDSS): ≤1μA
    - 前向传输电导 (gfs): 65S
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 1330pF
    - 输出电容 (Coss): 1200pF
    - 逆向转移电容 (Crss): 66pF
    - 总栅电荷 (Qg): 9.8nC
    - 栅极电阻 (Rg): 0.2Ω

    产品特点和优势


    - 高效能:
    - RDS(on)低至0.0045Ω(在VGS=10V时),可以有效减少导通损耗,提高系统效率。
    - 高可靠性:
    - 100% Rg和UIS测试通过,确保在高压和高温环境下依然稳定可靠。
    - 适应性强:
    - 支持5V栅极驱动,广泛适用于各种应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:
    - 在高频电源转换中,利用其低导通电阻特性,实现高效的能量转换。
    - 同步降压转换器:
    - 结合其快速开关特性和低栅电荷,提高转换效率和稳定性。
    - 使用建议:
    - 在设计时,考虑其工作温度范围(-55°C到150°C),确保在极端条件下也能正常工作。
    - 使用适当的散热措施,以避免超过最大功率耗散值(52W)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 本产品适用于广泛的电路板设计,与多种电子元器件兼容。
    - 支持:
    - VBsemi公司提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够顺利使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定最佳的工作温度范围?
    - A: 参考技术手册中的绝对最大额定值(Absolute Maximum Ratings),确保工作温度在-55°C到150°C之间。
    - Q: 何时需要外部散热器?
    - A: 当计算出的最大耗散功率超过内部散热能力时(例如,在较高环境温度下使用时),需要加装外部散热器。

    总结和推荐


    总体来看,BSZ040N04LS G-VB是一款性能卓越的N沟道MOSFET,适用于多种应用场合。它的高可靠性、低导通电阻和广泛的适用温度范围使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效、可靠能量转换的应用,强烈推荐使用这款产品。

BSZ040N04LS G-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
Id-连续漏极电流 40A
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

BSZ040N04LS G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BSZ040N04LS G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BSZ040N04LS G-VB BSZ040N04LS G-VB数据手册

BSZ040N04LS G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.6485
5000+ ¥ 2.5333
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