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IRLW510A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRLW510A-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLW510A-VB

IRLW510A-VB概述

    IRLW510A N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRLW510A 是一款N沟道100V(D-S)功率MOSFET,专为高效能隔离式DC/DC转换器设计。该产品采用先进的TrenchFET®技术制造,具备出色的热阻和可靠性。其主要功能包括高温度耐受性(最高可达175℃)和低导通电阻(RDS(on)),使其成为众多电力电子应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 电压规格:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS): 100V
    - 漏极连续电流(TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C时: 20A
    - TC = 125 °C时: 16A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 70A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 20A
    - 最大雪崩能量(EAS): 200mJ
    - 热特性:
    - 热阻(Junction-to-Ambient, PCB Mount (TO-263)): 40°C/W
    - 热阻(Junction-to-Case (Drain)): 0.4°C/W
    - 其他参数:
    - 最大功耗(PD): 3.75W(TA = 25°C)
    - 工作温度范围: -55至175°C

    3. 产品特点和优势


    IRLW510A 的主要特点包括:
    - TrenchFET®技术: 高效导电和低损耗。
    - 高温耐受性: 可承受高达175°C的温度,适用于极端环境。
    - 低热阻: 优秀的散热性能,确保长期稳定运行。
    - 高可靠性和质量保证: 100% Rg测试。
    这些特性使得 IRLW510A 在隔离式DC/DC转换器和其他高压电力应用中具有显著的优势,能够提供更高效的转换效率和更好的系统稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    IRLW510A 适用于多种电力电子应用,特别是:
    - 隔离式DC/DC转换器: 其高电压耐受性和低损耗特性使其在隔离电源设计中表现优异。
    - 太阳能逆变器: 在高电压环境下保持稳定的性能。
    - 电机驱动器: 适合于工业应用中的电机控制,提供高效和可靠的驱动。
    使用建议:
    - 在设计应用电路时,需确保散热措施到位,以避免因过热而导致的性能下降。
    - 对于高频开关应用,建议仔细考虑栅极驱动电阻(Rg)的值,以优化开关速度和减少损耗。

    5. 兼容性和支持


    IRLW510A 与标准D2PAK封装兼容,支持各种常见的电路板布局。制造商提供了详细的技术文档和在线技术支持,帮助用户解决应用中的问题。此外,购买后可获得一年的质保期。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 优化栅极驱动电阻(Rg)的值,选择合适的栅极驱动器。

    - 问题: 温度过高导致失效。
    - 解决方案: 加强散热措施,使用适当的散热器或优化PCB布局以提高散热效率。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRLW510A N-Channel 100-V MOSFET 在电力电子应用中表现出色,具备高效率、高温耐受性和优秀的可靠性。其先进的TrenchFET®技术和优良的热管理能力使其在隔离式DC/DC转换器和其他高压电力应用中成为首选。我们强烈推荐在需要高效率和高可靠性的场合使用此产品。

IRLW510A-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,106mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLW510A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLW510A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLW510A-VB IRLW510A-VB数据手册

IRLW510A-VB封装设计

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