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J604-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),19mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.96Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: J604-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J604-VB

J604-VB概述

    # J604-VB P-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    J604-VB 是一款 P-Channel 60V (D-S) MOSFET,采用 TrenchFET® Power MOSFET 技术制造。它具有高可靠性,且经过 100% 的 UIS 测试验证。主要应用于负载开关领域,广泛用于需要高效率和高可靠性的电子系统中。

    技术参数


    绝对最大额定值(TA = 25 °C)
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏极-源极电压 | VDS | 60 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ± 20 | V |
    | 连续漏极电流(TJ = 150 °C) | ID | -5 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 200 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 45 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 101 | mJ |
    额定工作条件
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 最大功率耗散 | PD | 104.2 | W |
    | 操作结温范围 | TJ | -55 to 150 | °C |
    | 热阻率(结到环境) | RthJA | 33 | °C/W |
    | 热阻率(结到外壳) | RthJC | 0.98 | °C/W |
    特性参数(TJ = 25 °C)
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 门极-源极阈值电压 | VGS(th) | -1 | -2.5 | -4 | V |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | - | -120 | - | A |
    | 开启状态电阻 | RDS(on) | 19 | 26 | - | mΩ |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET 技术:提供了低导通电阻和高可靠性。
    2. 100% UIS 测试:确保每个产品都经过严格测试,以保证其在极端条件下的性能。
    3. 高可靠性:适用于高要求的应用环境,如工业控制和汽车电子。
    4. 良好的热管理:热阻率较低,有助于散热,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    J604-VB 主要应用于负载开关领域。例如,在电机驱动电路中作为开关元件,可以有效控制电流并提供过载保护。
    使用建议
    1. 温度管理:确保散热良好,避免高温环境下长时间工作,以提高可靠性。
    2. 选择合适的栅极电阻:合理选择栅极电阻值,可以优化开关速度和降低功耗。
    3. 电源电压管理:确保电源电压在允许范围内,避免过高或过低导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:J604-VB 可与大多数主流电路板设计兼容,适合于各种负载开关应用。
    - 技术支持:请联系官方服务热线 400-655-8788 获取更多技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 导通电阻变化过大:可能是由于温度变化引起的。
    2. 高温下无法正常工作:可能是因为散热不良。
    解决方案
    1. 更换适当的散热器:使用高效散热器,改善散热效果。
    2. 检查电路连接:确保所有连接正确无误,特别是栅极和源极的连接。

    总结和推荐


    综合评估
    J604-VB P-Channel 60V MOSFET 是一款高性能的产品,具有优异的导通特性和可靠性。其 TrenchFET® 技术使其在多种应用场合表现出色,特别适合负载开关和其他需要高可靠性的应用领域。
    推荐使用
    鉴于其出色的性能和可靠性,强烈推荐 J604-VB 用于需要高效率和高可靠性的负载开关应用中。如果您需要进一步的技术支持或购买信息,请联系台湾 VBsemi 官方服务热线 400-655-8788。

J604-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 50A
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 19mΩ@10V,26mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.96V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J604-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J604-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J604-VB J604-VB数据手册

J604-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.0526
100+ ¥ 4.6783
500+ ¥ 4.4911
1000+ ¥ 4.3041
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