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K2980ZZ-TR-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: K2980ZZ-TR-E-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2980ZZ-TR-E-VB

K2980ZZ-TR-E-VB概述


    产品简介


    产品类型:N沟道30V(D-S)MOSFET
    主要功能:TrenchFET®功率MOSFET
    应用领域:DC/DC转换器

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C)
    - TC = 25 °C时:6.5A
    - TC = 70 °C时:6.0A
    - 脉冲漏极电流(IDM):25A
    - 正向二极管连续源漏电流(IS):1.4A (TC = 25 °C)
    - 最大功率耗散(PD):1.7W (TC = 25 °C)
    - 绝对最大工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 典型热阻(RthJA):90°C/W
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th)):0.7V 至 2.0V
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):1μA (VDS = 30V, VGS = 0V)
    - 导通状态漏极电流(ID(on)):10A (VDS ≥ 5V, VGS = 10V)
    - 导通状态电阻(RDS(on)):0.030Ω (VGS = 10V, ID = 3.2A)
    - 输入电容(Ciss):335pF (VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss):45pF
    - 反向转移电容(Crss):17pF
    - 总栅极电荷(Qg):4.5nC (VDS = 15V, VGS = 10V, ID = 3.4A)

    产品特点和优势


    - 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准
    - 全检栅极电阻:100% Rg测试
    - 符合RoHS指令:符合2002/95/EC RoHS指令
    - 低导通电阻:0.030Ω (VGS = 10V),适合高效率应用
    - 高可靠性:适用于工业和消费电子领域的广泛应用

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC转换器:广泛应用于电源管理模块中,提供高效的电力转换。
    使用建议
    - 在设计DC/DC转换器时,应注意散热问题,确保MOSFET的工作温度不超过其绝对最大温度限制。
    - 为提高效率,可以选择较低的栅极驱动电压,以减少开关损耗。
    - 建议使用适当的栅极电阻来降低开关速度,从而减少EMI干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品采用TO-236(SOT-23)封装,易于与现有电路板集成,具有良好的兼容性。
    - 支持:供应商提供详尽的技术支持和文档资料,包括详细的产品手册和技术参数表。客户可随时联系供应商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:通过查看技术手册中的输入电容(Ciss),选择合适的栅极电阻值。一般情况下,推荐值为1Ω至几欧姆之间,具体取决于实际应用场景。

    2. 问题:长时间工作时出现过热问题怎么办?
    - 解决方案:检查散热系统是否有效,必要时增加外部散热器或风扇。同时确保负载电流在规定的安全范围内。
    3. 问题:如何优化MOSFET的开关速度?
    - 解决方案:调整栅极电阻值,选择较小的值可以加快开关速度;然而,需要注意的是较小的栅极电阻会增加开关损耗。

    总结和推荐


    这款N沟道30V MOSFET具有出色的性能指标,适用于多种电源管理和转换应用。其独特的无卤素材料、100% Rg测试和低导通电阻等特点使其在市场上具有较强的竞争力。综合考虑其高性能、可靠性和广泛的适用性,强烈推荐在各类电源管理模块中使用此产品。

K2980ZZ-TR-E-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Id-连续漏极电流 6.5A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2980ZZ-TR-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2980ZZ-TR-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2980ZZ-TR-E-VB K2980ZZ-TR-E-VB数据手册

K2980ZZ-TR-E-VB封装设计

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