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76419S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: 76419S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 76419S-VB

76419S-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道60V(D-S)MOSFET(场效应晶体管),型号为76419S-VB。它采用表面贴装技术(Surface Mount Technology, SMT),提供盘式包装(Tape and Reel)。这款MOSFET主要用于电源管理、开关电路、驱动器等领域。它的主要功能包括低导通电阻、高动态dv/dt耐受能力、逻辑电平门驱动、快速开关等特性,使得它在多种应用场合下表现优异。

    技术参数


    以下是76419S-VB MOSFET的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±10 V
    - 持续漏极电流 (TC = 25 °C): 50 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 最大耗散功率 (TC = 25 °C): 150 W
    - 峰值二极管恢复 dv/dt: 4.5 V/ns
    - 最大功耗 (TA = 25 °C): 3.7 W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 到 +175°C
    - 典型参数:
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, TC = 25 °C: 0.032 Ω
    - VGS = 4.5 V, TC = 25 °C: 0.035 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 3000 pF
    - 输出电容 (Coss): -
    - 逆向转移电容 (Crss): -
    - 总栅极电荷 (Qg): 66 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 17 ns
    - 上升时间 (tr): 230 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 42 ns
    - 下降时间 (tf): 110 ns
    - 内部漏感 (LD): 4.5 nH
    - 内部源感 (LS): 7.5 nH

    产品特点和优势


    - 环保材料:无卤素材料,符合IEC 61249-2-21定义,且符合RoHS标准。
    - 快速开关:具备高动态dv/dt耐受能力和快速开关特性,适合高频应用。
    - 逻辑电平门驱动:允许逻辑电平输入,简化电路设计。
    - 高可靠性:通过严格的质量控制和测试,确保在恶劣环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电源转换器:在DC-DC转换器中作为开关元件,利用其低导通电阻和快速开关特性提高效率。
    2. 电机驱动器:适用于电动机和其他需要高速切换的应用。
    3. LED驱动电路:利用其低导通电阻特性,实现高效能量传输。
    使用建议
    - 在使用过程中,确保栅源电压 (VGS) 不超过±10 V,以避免损坏MOSFET。
    - 考虑到热管理,特别是在高温环境下工作时,应选择合适的散热片或散热器以提高散热效果。
    - 避免在过载条件下长时间工作,以延长产品寿命。

    兼容性和支持


    76419S-VB MOSFET与多种电路板兼容,例如FR-4或G-10材料的1英寸方形PCB。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括安装指南和故障排查手册,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:产品过热
    - 解决方法:检查散热片安装情况,确保其接触良好并能有效散热。同时,减少负载或降低工作频率以减小功耗。
    - 问题二:开启延迟时间过长
    - 解决方法:检查电路中的栅极电阻和电源电压设置,确保符合规范要求。适当调整外部电路参数可以改善这一问题。
    - 问题三:过流保护失效
    - 解决方法:检查负载条件和电源稳定性,确保不超过最大电流限制。必要时,可添加外部过流保护器件。

    总结和推荐


    总体而言,76419S-VB N沟道60V MOSFET凭借其出色的性能、高可靠性和广泛的应用领域,是一个值得信赖的选择。尤其是在高频开关电路、电源管理和电机驱动应用中表现出色。尽管存在一定的学习曲线和初始成本,但考虑到其卓越的性能和长期可靠性,我们强烈推荐使用此产品。
    联系服务热线:400-655-8788,获取更多技术支持和服务。

76419S-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 40A
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

76419S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

76419S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 76419S-VB 76419S-VB数据手册

76419S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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