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IRFB13N50APBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: IRFB13N50APBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFB13N50APBF-VB

IRFB13N50APBF-VB概述

    IRFB13N50APBF-VB 技术手册解析

    产品简介


    IRFB13N50APBF-VB 是一种专为高性能应用设计的N-沟道功率MOSFET(场效应晶体管),主要用于各类电力转换和控制场景。这款产品凭借其低损耗和高可靠性,在服务器电源、电信电源、开关电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)等领域广泛应用。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 门限电压(VGS(th)) | 2 | V |
    | 最大连续漏极电流(ID) | 186 | A |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.123 | Ω |
    | 栅极总电荷(Qg) | 150 | nC |
    | 栅极输入电阻(Rg) | 3.5 | Ω |
    | 绝对最大额定值
    | 漏源电压变化率(dV/dt) | 60 | V/ns |
    | 最大单脉冲雪崩能量(EAS) | 350 | mJ |
    | 极限温度范围 | -55 to +150 | °C |

    产品特点和优势


    IRFB13N50APBF-VB 的显著优势在于其低损耗特性和广泛的适用性。其具备低导通电阻(RDS(on)),这使得在高电流操作下能够减少功耗,同时提高效率。此外,这款MOSFET具有较低的输入电容(Ciss),有助于降低开关损耗,提升整体系统性能。其卓越的超低栅极电荷(Qg)进一步提高了转换效率,减少能耗。

    应用案例和使用建议


    IRFB13N50APBF-VB 可广泛应用于各种电力转换设备,例如:
    - 服务器电源:确保高效稳定的电力供应。
    - 电信电源:适应复杂且多样化的电力需求。
    - LED照明系统:高效驱动,延长灯具寿命。
    - 工业电机控制:增强控制精度,提升能效。
    在具体应用时,建议用户根据电路设计需求选择合适的栅极电阻(Rg)和合适的驱动电压(VGS),以优化性能并避免过压和过流问题。

    兼容性和支持


    IRFB13N50APBF-VB 支持标准的TO-220封装,方便安装和替换。同时,VBsemi 提供全方位的技术支持,包括详细的用户手册、应用指南和技术文档,确保用户能够充分理解和利用该产品的全部特性。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:通过增加散热片或改进电路设计来优化散热。
    2. 过压击穿:确认驱动电压和电流在安全范围内。
    3. 驱动信号不稳定:优化驱动电路设计,确保信号质量。

    总结和推荐


    综上所述,IRFB13N50APBF-VB 是一款性能卓越、稳定性高的N-沟道功率MOSFET,特别适合于高效率、高可靠性要求的应用场景。推荐在各类电力转换和控制系统中采用此产品,以实现更好的性能和经济效益。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

IRFB13N50APBF-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 9A
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFB13N50APBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFB13N50APBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFB13N50APBF-VB IRFB13N50APBF-VB数据手册

IRFB13N50APBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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