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HFP12N60U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: HFP12N60U-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFP12N60U-VB

HFP12N60U-VB概述

    HFP12N60U-VB Datasheet 解析

    产品简介


    HFP12N60U-VB 是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源转换和管理领域。它具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力(VDS),能够在各种电力应用中提供高效的能量转换。这些特性使得它在服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明和工业应用中表现优异。

    技术参数


    HFP12N60U-VB 的主要技术参数如下:
    - 耐压能力:VDS 最大值为650V,适用于高压应用。
    - 连续漏极电流:在环境温度为25°C时,最大值可达12A;当结温达到150°C时,降额为186W。
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 35A。
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 1.5mJ。
    - 门极-源极电压:VGS = ±30V。
    - 输入电容:Ciss = 1470pF(典型值)。
    - 输出电容:Coss = 50pF(典型值)。
    - 反向转移电容:Crss = 7pF(典型值)。
    - 总栅极电荷:Qg = 21nC(最大值)。
    - 关断延迟时间:td(off) ≤ 50ns。
    - 散热电阻:RthJA = 63°C/W(最大值)。

    产品特点和优势


    HFP12N60U-VB 具备多项独特功能和优势:
    - 低栅极电荷:Qg 仅为21nC,有效降低开关损耗。
    - 低输入电容:Ciss = 1470pF,有助于减少输入电容带来的影响。
    - 超低栅极驱动电流:有助于减少系统功耗。
    - 增强型开关性能:能显著降低开关损耗,提高系统效率。
    - 高可靠性:雪崩能量评级确保了在高能瞬态条件下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    HFP12N60U-VB 主要应用于以下几个领域:
    - 服务器和电信电源:适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
    - 开关模式电源:适用于需要高效能量转换的场合。
    - 功率因数校正电源:有助于提高系统的功率因数。
    - 照明应用:特别适合高亮度放电灯(HID)和荧光灯的驱动。
    使用建议:
    - 在高负载情况下,建议使用散热良好的外壳,以防止过热。
    - 在高压环境下,建议监测并控制栅极电压,避免过高的VGS导致击穿。
    - 在频繁开关的应用,建议考虑使用低泄漏电感的设计,以减小损耗。

    兼容性和支持


    HFP12N60U-VB 可与其他标准N沟道MOSFET兼容,适用于大多数工业标准电路设计。制造商VBsemi提供了详细的文档和技术支持,包括安装指南和故障排查步骤,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是常见的使用问题及其解决方案:
    - 问题1:设备过热
    - 解决方法:检查散热设计,必要时增加散热片。
    - 问题2:设备短路
    - 解决方法:检查电路连接,确保所有接线正确且牢固。
    - 问题3:设备性能不稳定
    - 解决方法:调整栅极电压至合适的水平,确保在规定的范围内。

    总结和推荐


    总体而言,HFP12N60U-VB 是一款高效、可靠且多功能的N沟道功率MOSFET,适用于多种电力应用场合。它的高耐压能力和低损耗特性使其在高性能电源管理和转换领域具备强大的竞争力。对于寻求高效率和稳定性的工程师来说,这是一个值得推荐的产品。建议在使用前仔细阅读技术手册,并遵循制造商的建议进行安装和维护。

HFP12N60U-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 9A
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HFP12N60U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFP12N60U-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFP12N60U-VB HFP12N60U-VB数据手册

HFP12N60U-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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