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WFP2N60B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: WFP2N60B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFP2N60B-VB

WFP2N60B-VB概述


    产品简介


    本产品是一款型号为WFP2N60B的N沟道650V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效电力转换设计。WFP2N60B的主要功能包括低门电荷(Qg)导致简单的驱动需求、增强的门极、雪崩及动态dV/dt耐用性、以及完全表征的电容和雪崩电压及电流。这款产品符合RoHS(限制有害物质指令)规范,适用于多种工业和消费电子产品中。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大耐压(VDS):650V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):10V下的典型值为5Ω
    - 总栅极电荷(Qg(max)):11nC
    - 栅源电荷(Qgs):2.3nC
    - 栅漏电荷(Qgd):5.2nC
    - 配置:单个MOSFET
    - 符合RoHS标准
    - 电气特性:
    - 持续漏极电流(TC = 25 °C):ID = 1.28 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):165 mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25 °C):PD = 45 W
    - 极限雪崩电流(IAR):2 A
    - 极限雪崩能量(EAR):6 mJ
    - 漏源导通电阻温度系数(ΔVDS/TJ):-670 mV/°C
    - 雪崩电流波形最大斜率(dV/dt):2.8 V/ns
    - 工作环境:
    - 工作结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55 to + 150 °C
    - 焊接推荐:峰值温度300°C,持续时间10秒

    产品特点和优势


    WFP2N60B具备以下几个显著特点和优势:
    - 低门电荷:使得驱动要求简单,降低了系统复杂度和成本。
    - 增强的耐用性:改进的门极、雪崩及动态dV/dt特性提高了可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩特性:使得其在电力转换应用中表现出色,特别是在瞬态状态下。
    - RoHS合规:环保,适用于各种应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业电源:适用于开关电源、逆变器等设备。
    - 电机驱动:可用于电动工具和机器人控制。
    - LED照明:在LED驱动电路中作为开关元件使用。
    使用建议
    - 热管理:由于高功率耗散,在应用时应注意良好的散热设计。
    - 驱动电路设计:考虑到低门电荷特性,可以简化驱动电路,降低能耗。
    - 应用测试:在高电流、高电压的应用环境中,应进行充分的测试以确保稳定性。

    兼容性和支持


    WFP2N60B通常与其他标准MOSFET驱动器兼容。制造商提供详细的技术文档和支持服务,用户可通过官方服务热线400-655-8788获取帮助。厂商还提供了详尽的设计指南和参考电路图,方便用户进行快速设计。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的漏极电流导致热损坏 | 通过增加外部散热器来提高散热效率。 |
    | 门极电荷过高导致驱动困难 | 选择合适的驱动电阻以优化门极电荷。 |
    | 雪崩击穿现象发生频繁 | 增加缓冲电路以吸收瞬态电压。 |

    总结和推荐


    WFP2N60B以其出色的电气特性和广泛的应用场景,在电力转换和控制领域表现出色。其低门电荷特性、良好的耐用性和RoHS合规性使其在市场上具有很强的竞争力。综上所述,我们强烈推荐WFP2N60B用于需要高效电力转换的应用场景。

WFP2N60B-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFP2N60B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFP2N60B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WFP2N60B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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型号 价格(含增值税)
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