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FMV23N50E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: FMV23N50E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FMV23N50E-VB

FMV23N50E-VB概述

    FMV23N50E-VB N-Channel 650 V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    FMV23N50E-VB是一款高性能的N-沟道650伏(漏极到源极)超级结功率MOSFET,适用于多种高要求的应用场合。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on)),能够有效降低开关和传导损耗。它广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及各种照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯球灯。此外,它还适用于工业领域的应用。

    技术参数


    以下是FMV23N50E-VB的主要技术参数:
    - 漏极-源极电压(VDS):最大值为650 V(TJ max.)
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th)):2 V至5 V
    - 栅极-源极泄漏电流(IGSS):± 100 nA(VGS = ± 20 V)
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):1 μA(VDS = 520 V,VGS = 0 V)
    - 导通电阻(RDS(on)):最大值为0.19 Ω(VGS = 10 V,ID = 11 A)
    - 输入电容(Ciss):最大值为2322 pF(VGS = 0 V,VDS = 100 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):最大值为105 pF
    - 反向转移电容(Crss):-4 pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为106 nC(VGS = 10 V)
    - 栅极-源极电荷(Qgs):最大值为14 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):最大值为33 nC
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值为20 A
    - 连续漏极电流(ID):最大值为13 A(TJ = 25 °C)
    - 最大耗散功率(PD):200 W
    - 最大结温(TJ):150 °C
    - 封装形式:TO-220 FULLPAK

    产品特点和优势


    FMV23N50E-VB的优势在于其低栅极电荷(Qg),这有助于减少开关过程中的能量损耗。此外,它的低输入电容(Ciss)也使其在高频应用中表现优异。通过这些特性,FMV23N50E-VB能够显著减少开关和传导损耗,提高效率并降低发热。因此,它非常适合在需要高效能、低功耗的应用环境中使用。

    应用案例和使用建议


    FMV23N50E-VB在服务器和电信电源供应系统中得到广泛应用,这些系统通常需要处理高电压和大电流,同时对效率和可靠性有着严格的要求。例如,在电信电源供应系统中,这款MOSFET可以用于将交流电转换为直流电,以提供稳定的电源供给。对于工业照明应用,比如高强度放电灯(HID)和荧光灯,这款MOSFET同样表现出色,因为它能够快速响应并控制电流,从而确保灯具的稳定运行。
    使用建议:在设计电路时,应充分考虑MOSFET的工作条件,如栅极驱动电压和电流限制,以避免过热和损坏。建议在实际应用中进行详细测试,确保MOSFET能在预期的条件下正常工作。

    兼容性和支持


    FMV23N50E-VB与市场上常见的电源管理系统兼容,适用于各种不同的应用。VBsemi公司为其产品提供了全面的技术支持,包括在线文档、技术论坛和技术支持热线(400-655-8788)。此外,VBsemi还提供了详尽的产品规格和性能数据,方便客户根据具体需求选择最适合的解决方案。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的栅极驱动电压?
    - 解决方法:栅极驱动电压的选择应基于MOSFET的数据表。一般建议选择高于阈值电压的电压,以确保可靠的导通状态。
    2. 问题:MOSFET在高温环境下工作是否会降低性能?
    - 解决方法:由于FMV23N50E-VB的最大工作温度为150 °C,为了保证最佳性能和寿命,建议在工作时保持良好的散热条件。
    3. 问题:MOSFET的漏极电流和源极电流之间有什么关系?
    - 解决方法:MOSFET的漏极电流和源极电流基本相等,但应考虑其额定电流和最大允许电流,以避免损坏。

    总结和推荐


    FMV23N50E-VB是一款高性能的N-沟道650 V超级结功率MOSFET,具有低栅极电荷和低输入电容,能够在多种应用中提供高效的电力转换和控制。它在服务器和电信电源供应、开关模式电源供应以及工业照明等领域表现出色。总的来说,FMV23N50E-VB是一款值得推荐的产品,尤其适合那些需要高效率、低功耗和高可靠性的应用。

FMV23N50E-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FMV23N50E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FMV23N50E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FMV23N50E-VB FMV23N50E-VB数据手册

FMV23N50E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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