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UK2996L-TF1-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: UK2996L-TF1-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UK2996L-TF1-T-VB

UK2996L-TF1-T-VB概述

    高性能Power MOSFET产品技术手册

    一、产品简介


    产品名称: UK2996L-TF1-T
    产品类型: N-Channel Power MOSFET(功率场效应晶体管)
    主要功能:
    - 极低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),实现高效能电力转换
    - 支持快速开关操作,降低开关损耗
    - 内置体二极管,支持反向电流流通
    应用领域:
    - 数据中心服务器和通信设备电源管理
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正(PFC)模块
    - 照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)
    - 工业自动化设备

    二、技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压范围 | VGS | ±30 V |
    | 击穿电压 | VDS 650 | V |
    | 最大漏极连续电流(TJ=150°C) | ID 35 | A |
    | 最小导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) 0.44 | Ω |
    | 栅极总电荷 | Qg 120 | nC |
    | 输出电容 | Coss 200 | pF |
    | 反向恢复时间 | trr 190 ns |
    绝对最大额定值:
    - 最高工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 单脉冲雪崩能量:97 mJ
    - 最大结壳热阻:0.6°C/W

    三、产品特点和优势


    1. 高性能功耗管理:
    通过极低的导通电阻和栅极电荷实现高效能转换,减少能源浪费。

    2. 快速开关性能:
    极低的开关损耗和优化的动态特性适合高频应用场合。
    3. 强抗雪崩能力:
    通过重复雪崩测试确保在高电压环境中可靠运行。
    4. 增强设计灵活性:
    标准TO-220封装易于集成到各种电路设计中。

    四、应用案例和使用建议


    典型应用案例:
    - 用于通信设备的DC/DC转换器,如服务器电源模块。
    - 照明控制中HID灯或荧光灯驱动器的高效率PFC电路。
    使用建议:
    - 建议使用较低的栅极驱动电阻(<10 Ω)以缩短开关时间并降低栅极震荡。
    - 在高温环境下需考虑增加散热片或采用强制风冷设计。

    五、兼容性和支持


    兼容性:
    - 与大多数工业标准驱动器兼容。
    - 支持广泛的输入电压范围(最高可达650V)。
    厂商支持:
    - 提供详细的技术文档和在线技术支持。
    - 定期组织用户培训和技术研讨会,帮助客户优化设计。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 栅极驱动不足导致启动失败 | 调整驱动电阻至较低值(<10 Ω)。 |
    | 高温下器件过热 | 使用更大的散热片或风扇进行冷却。 |
    | 开关噪声过大 | 添加滤波电路以降低EMI干扰。 |

    七、总结和推荐



    总结

    :
    UK2996L-TF1-T 是一款高性能的N通道Power MOSFET,专为高效电力转换和快速开关设计。凭借其卓越的导通电阻和抗雪崩能力,它在工业和通信领域的多种应用场景中表现优异。
    推荐:
    此款产品非常适合对能效要求极高的应用场景,尤其是服务器电源、通信设备及照明控制。其强大的兼容性和完善的售后支持使其成为行业用户的理想选择。
    如有进一步疑问,请联系我们的客服热线:400-655-8788。
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    特别声明:
    本文档内容由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.提供,所有技术数据均经过严格验证,但仍需根据具体项目需求进行验证使用。

UK2996L-TF1-T-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UK2996L-TF1-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UK2996L-TF1-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UK2996L-TF1-T-VB UK2996L-TF1-T-VB数据手册

UK2996L-TF1-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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