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UT2301L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: UT2301L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2301L-AE3-R-VB

UT2301L-AE3-R-VB概述

    UT2301L-AE3-R P-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    UT2301L-AE3-R 是一款P沟道20伏(漏源电压)功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类MOSFET在电源管理和控制方面有着广泛的应用。它被设计用于负载开关和PA(功率放大器)开关等领域,同时也在DC/DC转换器中扮演关键角色。其紧凑的封装使得它特别适用于空间受限的应用场景。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 20V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = -10 V时为0.035Ω
    - 在VGS = -4.5 V时为0.043Ω
    - 在VGS = -2.5 V时为0.061Ω
    - 连续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C时为-5.1A
    - TC = 70°C时为-4.8A
    - 脉冲漏电流 (IDM): -18A
    - 最大功耗 (PD):
    - TC = 25°C时为2.5W
    - TC = 70°C时为1.6W
    - 工作温度范围: -55°C至150°C
    - 热阻抗 (RthJA):
    - 最大值为75°C/W
    - 最大值为100°C/W
    - 封装类型: SOT-23 (TO-236)

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素材料: 符合IEC 61249-2-21标准。
    - 沟槽式TrenchFET技术: 提供高效的电源管理。
    - 100% Rg测试: 确保每个单元的质量。
    - 符合RoHS标准: 满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关: 可以作为系统中的保护机制,防止过流和短路。
    - PA开关: 在射频放大器中用于开关控制。
    - DC/DC转换器: 用于电源管理,提高效率。
    使用建议:
    - 在使用时确保散热条件良好,以避免因过热而损坏。
    - 根据具体应用选择合适的栅极驱动电压,以达到最佳的开关效果。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品与常见的SOT-23封装的电路板兼容。
    - 制造商提供技术支持和保修服务,以帮助用户解决问题和进行维护。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 功耗过高。
    - 解决方案: 使用适当的散热片或散热器,以降低内部温度。

    - 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 优化栅极驱动电压,确保快速开关。

    - 问题: 阈值电压漂移。
    - 解决方案: 确保工作温度在规定范围内,避免超出温度极限。

    7. 总结和推荐


    总体而言,UT2301L-AE3-R是一款高性能、可靠性强的P沟道MOSFET,适用于多种电源管理和控制应用。它的无卤素设计和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐在需要高效电源管理和开关控制的应用中使用这款产品。

UT2301L-AE3-R-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2301L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2301L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2301L-AE3-R-VB UT2301L-AE3-R-VB数据手册

UT2301L-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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