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UT2312L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: UT2312L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2312L-AE3-R-VB

UT2312L-AE3-R-VB概述

    N-Channel 20V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    一、产品简介


    产品类型:
    N-Channel 20V (D-S) MOSFET 是一款高性能的低电压、高电流的功率场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电子电路设计需求。
    主要功能:
    - 高效能开关性能
    - 支持高频电路设计
    应用领域:
    广泛应用于便携式设备中的负载开关、直流/直流转换器以及其他需要高效能开关特性的领域。

    二、技术参数


    | 参数名称 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (VDS) | - | 20 | - | V |
    | 阈值电压 (VGS(th)) | 0.45 | 1.0 | - | V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | - | 0.028 @ 4.5V | - | Ω |
    | 栅极电荷 (Qg) | - | 8.8 nC @ 4.5V | - | nC |
    | 最大连续漏极电流 (ID) | - | 6A @ TC=25°C | - | A |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg) | -55 | 25 | 150 | °C |
    备注:
    - 该器件符合RoHS指令2002/95/EC,并且是无卤化物设计,符合IEC 61249-2-21标准。
    - 工作温度范围广,适用于恶劣的工作环境。

    三、产品特点和优势


    - 低导通电阻:在典型条件下,RDS(on) 的值仅为 0.028 Ω(@VGS=4.5V, ID=5A),这大大降低了功率损耗。
    - 快速开关时间:典型开关时间为 td(on)=8ns 和 td(off)=31ns,适合高频开关应用。
    - 高温稳定性:最高工作温度可达150°C,确保在严苛环境下的可靠运行。
    - 环保设计:符合RoHS及无卤化物标准,满足绿色环保要求。

    四、应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:用于便携式设备(如手机充电器)的负载开关,能够实现高效的电能管理。
    - DC/DC转换器:适用于高性能电源模块的设计,有效提升转换效率。
    使用建议:
    1. 确保栅极驱动电压 VGS 高于阈值电压 VGS(th),以保证器件完全导通。
    2. 在高频开关应用中,需特别注意寄生电容对性能的影响,可增加栅极电阻 Rg 来优化开关特性。
    3. 避免超过绝对最大额定值参数(如 VDS>20V 或 ID>6A),以防止器件损坏。

    五、兼容性和支持


    - 兼容性:
    UT2312L-AE3-R 器件采用 SOT-23 封装,与大多数 PCB 设计兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持:
    制造商提供详尽的技术文档、参考设计和支持服务,客户可通过服务热线 400-655-8788 获得进一步帮助。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 增加栅极电阻 Rg,降低输入阻抗,提高开关速度。 |
    | 温度过高 | 使用外部散热片或改进热设计,确保良好的热传导。 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查 VGS 是否达到器件要求,调整驱动电压。 |

    七、总结和推荐


    综合评估:
    UT2312L-AE3-R N-Channel 20V MOSFET 是一款高效能、低成本的功率器件,特别适合便携式设备和高频开关电路。其卓越的热稳定性和快速开关性能使其在市场上具有显著的竞争优势。
    推荐结论:
    强烈推荐此产品用于需要高效能开关的场合,尤其是负载开关和 DC/DC 转换器的应用中。在选择其他替代产品之前,建议用户仔细对比其性能指标和成本效益。

UT2312L-AE3-R-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 8V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2312L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2312L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2312L-AE3-R-VB UT2312L-AE3-R-VB数据手册

UT2312L-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.207
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