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J389TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J389TR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J389TR-VB

J389TR-VB概述


    产品简介


    本产品是一款采用TrenchFET技术的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为J389TR。它主要用于负载开关应用,能够实现高效能的电流控制和信号传输。P-Channel MOSFET在各种电力管理和控制系统中得到广泛应用,特别是在需要高效率和高可靠性转换的应用场景中。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 最大栅极-源极电压 (VGS):± 20 V
    - 漏极连续电流 (TJ = 175 °C):- 30 A(在25°C时);- 25 A(在100°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):可提供连续的源极电流(二极管导通电流)IS为-20 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):7.2 mJ(电感量为0.1 mH)
    - 最大功耗 (PD):34 W(在25°C时);4 W(在100°C时)
    - 工作结温范围 (TJ, Tstg):- 55 至 175 °C
    - 热阻率:
    - 结到环境热阻 (RthJA):20-25 °C/W(稳态)
    - 结到外壳热阻 (RthJC):5-6 °C/W
    - 静态特性:
    - 漏-源击穿电压 (V(BR)DSS):- 60 V(VGS = 0 V, ID = - 250 µA)
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):- 1.0 至 - 3.0 V(VDS = VGS, ID = - 250 µA)
    - 栅极-体泄漏 (IGSS):± 100 nA(VDS = 0 V, VGS = ± 20 V)
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss):1000 pF(VDS = - 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):120 pF
    - 反向传输电容 (Crss):100 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):10 nC(VDS = - 30 V, VGS = - 10 V, ID = - 8.4 A)
    - 开启延迟时间 (td(on)):6 ns(VDD = - 30 V, RL = 3.57 Ω)
    - 上升时间 (tr):15 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):16 ns
    - 下降时间 (tf):8 ns
    - 其他特性:
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):- 20 A
    - 最大额定功率 (PD):34 W(在25°C时);4 W(在100°C时)

    产品特点和优势


    J389TR P-Channel MOSFET的主要特点包括:
    - 高效率:其低导通电阻 (rDS(on)) 和快速开关速度使其成为高效能应用的理想选择。
    - 可靠性高:通过100%的雪崩测试(UIS Test),确保了其在极端条件下的可靠性。
    - 广泛的适用温度范围:-55至175°C的工作温度范围,使其适用于多种环境条件。
    - 紧凑封装:采用TO-252封装,适合表面安装,占用空间小,便于集成到电路板中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    J389TR MOSFET广泛应用于负载开关和其他电力管理电路。其低漏电电流和高击穿电压使其适用于要求严格的小型电子设备和电池供电设备。
    使用建议
    - 在使用J389TR进行电路设计时,建议注意其热管理。由于其热阻率较高,在高电流或高频率条件下,需考虑使用散热片或其他散热措施以保证长期稳定运行。
    - 为了提高系统的可靠性和稳定性,建议使用专用的驱动电路来控制栅极电压。这可以减少电磁干扰并确保开关过程的平稳。

    兼容性和支持


    J389TR MOSFET采用标准的TO-252封装,易于与市面上常见的电源模块和其他电子元件兼容。厂商提供详尽的技术支持文档和客户服务热线,帮助用户解决在使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的温度导致MOSFET失效。
    - 解决方案:增加散热片或风扇,以降低结点温度。
    2. 问题:在高频操作下出现异常噪音。
    - 解决方案:使用屏蔽线缆连接电路,减少电磁干扰。
    3. 问题:电路中的电流不稳定。
    - 解决方案:检查输入电源的质量,确保稳定的电源供应。

    总结和推荐


    总体而言,J389TR P-Channel MOSFET凭借其高效、可靠的特点,非常适合用于各种电力管理和控制电路中。其紧凑的封装、宽泛的工作温度范围以及良好的热管理特性,使其在市场上具备较强的竞争优势。建议在电力管理项目中优先考虑使用此产品。如果您需要更多的技术支持或具体应用指导,欢迎随时联系我们的客服团队。

J389TR-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 38A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J389TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J389TR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J389TR-VB J389TR-VB数据手册

J389TR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
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500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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