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JCS9N50CT-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: JCS9N50CT-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS9N50CT-O-C-N-B-VB

JCS9N50CT-O-C-N-B-VB概述

    产品技术手册:JCS9N50CT-O-C-N-B-VB MOSFET



    产品简介



    JCS9N50CT-O-C-N-B-VB 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品主要用于各种高功率转换和驱动应用,如电机控制、开关电源、直流到直流转换器以及其它工业自动化设备。其特点是低栅极电荷(Qg),这使得驱动电路的设计更加简单。


    技术参数



    以下是 JCS9N50CT-O-C-N-B-VB 的技术规格:

    - 漏源电压 (VDS): 500V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 最大连续漏电流 (ID): 13A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 50A
    - 功耗 (PD): 250W (TC = 25°C)
    - 最大峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 9.2V/ns
    - 静态门源阈值电压 (VGS(th)): 2.0-4.0V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.660Ω (VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 81nC (VGS = 10V, ID = 14A, VDS = 400V)
    - 门源电荷 (Qgs): 20nC
    - 门漏电荷 (Qgd): 36nC
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 560mJ
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 4.4-6.5μC

    工作环境

    - 接合温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 最大峰值焊接温度 (峰温): 300°C (10秒)


    产品特点和优势



    - 低栅极电荷: 这有助于简化驱动电路设计,降低功耗。
    - 增强型耐久性: 改进的门极、雪崩及动态dV/dt耐久性。
    - 全面测试: 完全测试的电容和雪崩电压。
    - 环保合规: 符合RoHS指令2002/95/EC。


    应用案例和使用建议



    应用案例

    JCS9N50CT-O-C-N-B-VB 主要应用于需要高电压、高电流、高可靠性的场合。例如,可以在电机控制板中作为驱动元件,或在开关电源中作为开关元件。

    使用建议

    1. 在使用时,注意保持适当的散热措施,以避免因过热导致的损坏。
    2. 在选择驱动电路时,考虑到Qg低的特点,可简化驱动电路设计,但仍需保证足够的驱动能力。


    兼容性和支持



    该产品支持TO-220AB封装,易于安装和维护。厂商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、电话支持等。用户可以访问官方网站获取更多帮助。


    常见问题与解决方案



    常见问题

    1. 如何防止过热?
    - 确保使用适当的散热片并正确安装,可以参考制造商的推荐安装扭矩(6-32 或 M3 螺丝,扭矩为 10 lbf·in 或 1.1 N·m)。

    2. 如何确保正确的驱动电压?
    - 在设计驱动电路时,确认VGS在2.0-4.0V范围内,且符合最大电压限制。

    解决方案

    1. 散热问题:
    - 使用适当的散热措施,如散热片和风扇,确保散热片接触良好,安装扭矩符合要求。

    2. 驱动电压问题:
    - 使用合适的驱动电路,确保VGS电压稳定,可以通过增加电容来滤波。


    总结和推荐



    JCS9N50CT-O-C-N-B-VB MOSFET凭借其低栅极电荷、高可靠性和广泛的工作温度范围,在高功率应用中表现出色。其紧凑的设计和全面的支持使其成为各种高可靠性需求的理想选择。因此,强烈推荐在高功率转换和驱动应用中使用此产品。

    联系我们的服务热线:400-655-8788 获取更多信息或技术支持。

    网址:www.VBsemi.com

JCS9N50CT-O-C-N-B-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 13A
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS9N50CT-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS9N50CT-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS9N50CT-O-C-N-B-VB JCS9N50CT-O-C-N-B-VB数据手册

JCS9N50CT-O-C-N-B-VB封装设计

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