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NTD5N50T4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: 14M-NTD5N50T4-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD5N50T4-VB

NTD5N50T4-VB概述

    NTD5N50T4 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD5N50T4 是一种 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于广泛的电力转换和控制应用。它具有低门极电荷、高抗压能力和良好的热稳定性,广泛应用于工业控制、电源管理、电动机驱动和照明系统等领域。

    2. 技术参数


    以下是 NTD5N50T4 的主要技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 VDS | 650 | V |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.95 | Ω |
    | 最大总门极电荷 Qg | 15 | nC |
    | 门极-源极电荷 Qgs | 3 | nC |
    | 门极-漏极电荷 Qgd | 6 | nC |
    | 静态漏极-源极击穿电压 | 650 | V |
    | 线性降额系数 | 1.67/0.8/0.3 | W/°C |
    | 最大单脉冲雪崩能量 EAS | 120 | mJ |
    | 最大重复雪崩电流 IAR | 34 | A |
    | 最大峰值反向恢复 dV/dt | 4.5 | V/ns |
    | 工作温度范围 TJ, Tstg | -55 to +150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    NTD5N50T4 的主要特点是低门极电荷和高可靠性。具体优势包括:
    - 低门极电荷:简化驱动要求,降低功耗。
    - 增强的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性:确保在恶劣环境下稳定运行。
    - 完全标定的电容和雪崩电压电流:提供可靠的电气特性。
    - 符合 RoHS 指令:环保合规,满足欧盟标准。

    4. 应用案例和使用建议


    NTD5N50T4 在多个领域都有广泛应用,例如工业控制系统、电源管理和电机驱动。具体应用案例包括高效能电源供应、LED 驱动器和逆变器。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保栅极驱动器能够提供足够的电流以驱动 MOSFET。
    - 为 MOSFET 提供充足的散热措施,特别是在高电流条件下。
    - 在选择辅助元件时,确保其与 MOSFET 的兼容性。

    5. 兼容性和支持


    NTD5N50T4 可与多种标准电气设备兼容。VBsemi 提供全面的技术支持,包括产品文档、在线支持和技术咨询。此外,厂商还提供了详尽的测试报告和规范数据,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:门极电荷过高导致驱动难度增加。
    - 解决方案:选用合适的栅极驱动器,并适当降低驱动电压。

    - 问题:工作温度超出范围。
    - 解决方案:选择适合的工作温度范围,并采取适当的散热措施。

    - 问题:在高电流条件下导通电阻增加。
    - 解决方案:确保良好的散热条件,避免过热导致性能下降。

    7. 总结和推荐


    NTD5N50T4 N-Channel MOSFET 具有卓越的性能和可靠性,特别适合于需要高效能和可靠性的应用。总体而言,我们强烈推荐这款产品用于各种电力转换和控制应用。其低门极电荷、高可靠性及良好的热稳定性使其成为市场上的一个优秀选择。

NTD5N50T4-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTD5N50T4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD5N50T4-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD5N50T4-VB NTD5N50T4-VB数据手册

NTD5N50T4-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.8454
10+ ¥ 4.5603
30+ ¥ 4.0701
100+ ¥ 3.0497
2500+ ¥ 2.9357
7500+ ¥ 2.8502
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