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IXFP14N60P3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: IXFP14N60P3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFP14N60P3-VB

IXFP14N60P3-VB概述

    IXFP14N60P3-VB Datasheet 分析

    1. 产品简介


    产品类型: N-Channel MOSFET(功率MOSFET)
    主要功能: 低电阻、快速开关和高效能
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 开关模式电源供应器(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应器(PFC)
    - 照明(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)
    - 工业应用

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | - | 600 | - | V |
    | 门源电压 (VGS) | ±30 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 (TJ=150°C) | - | 4 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | - | - | - | A |
    | 最大功耗 (PD) | - | - | 186 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg) | -55 | - | 150 | °C |
    | 开启电阻 (RDS(on)) | - | 0.123 | - | Ω |
    | 输入电容 (Ciss) | - | 1471 | - | pF |
    | 输出电容 (Coss) | - | - | - | pF |
    | 门源电荷 (Qgs) | - | 1.5 | - | nC |
    | 门源电荷 (Qgd) | - | 2.1 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低通态电阻 (RDS(on))
    - 低输入电容 (Ciss)
    - 减少开关损耗和导通损耗
    - 极低的门电荷 (Qg)
    - 重复性雪崩能量 (UIS)

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在高密度电源系统中作为开关元件
    - 高效LED照明电路中的驱动器
    使用建议:
    - 在选择其他电路元件时,考虑其与IXFP14N60P3-VB的匹配性,以确保系统的整体效率。
    - 针对高频开关应用,应特别关注输出电容 (Coss) 和反向传输电容 (Crss),这些参数会影响开关速度和能效。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性良好,可以与其他标准MOSFET管脚配置相同的器件互换。
    - 厂商提供技术支持,包括安装指南、应用笔记和样品请求。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过大 | 降低输入电压或增加外部栅极电阻以限制电流 |
    | 门电荷过高 | 优化门极驱动电路以减少开关损耗 |
    | 开关时间过长 | 选用更低Qg值的产品或者优化电路布局减少寄生电感 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - IXFP14N60P3-VB在多个关键指标上表现出色,尤其在低电阻和低输入电容方面,使其成为高性能电源转换和照明控制的理想选择。
    - 面向服务器、电信及工业领域,具有高度可靠性和高效的电源管理能力。
    推荐:
    - 强烈推荐在需要高性能、低损耗的应用中使用IXFP14N60P3-VB,特别是在需要频繁开关操作和高效能表现的应用场合。

IXFP14N60P3-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 9A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFP14N60P3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFP14N60P3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFP14N60P3-VB IXFP14N60P3-VB数据手册

IXFP14N60P3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
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