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NP82N04PUG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: NP82N04PUG-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP82N04PUG-VB

NP82N04PUG-VB概述

    NP82N04PUG N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NP82N04PUG 是一款高性能的N沟道TrenchFET®功率MOSFET。它主要应用于同步整流和电源供应系统。这款MOSFET具备低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于多种高效率的应用场景。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 4 | - | - | V |
    | 门源电压 | VGS | ±25 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 (TJ=175°C) | ID | 150 | - | - | A |
    | 瞬态漏极电流 | IDM | 380 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 320 | mJ |
    | 雪崩电流 (脉冲) | IAS | - | - | 80 | A |
    | 持续体二极管电流 | IS | 110 | - | - | A |
    | 最大耗散功率 | PD | 312 | - | - | W |
    | 静态栅极泄漏电流 | IGSS | ±100 | - | - | nA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | - | - | 120 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.0017 (VGS=10V), 0.0025 (VGS=4.5V) | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 9000 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 650 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 450 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 120 | 180 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的TrenchFET技术,提供更低的导通电阻和更高的效率。
    - 100% Rg and UIS Tested:全面测试确保产品的可靠性和稳定性。
    - 低导通电阻(RDS(on)):在10V VGS下仅为0.0017Ω,在4.5V VGS下为0.0025Ω,保证高效的电流传输。
    - 高电流承载能力:最大连续漏极电流可达150A,满足高负载需求。
    - 出色的热阻特性:典型的最大结到外壳热阻(RthJC)为0.33°C/W,确保在高功率应用中的稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    NP82N04PUG MOSFET 在多种应用场景中表现出色,例如:
    - 同步整流:在高频开关电源中替代肖特基二极管,降低损耗,提高效率。
    - 电源供应系统:用于直流-直流转换器和开关模式电源(SMPS),以提高能效和减少发热。
    使用建议:
    - 散热设计:确保电路板具有良好的散热设计,特别是在高电流应用中,可以通过增加散热片或风扇来改善散热效果。
    - 电路布局:合理规划电路板布局,缩短连接线长度,减小寄生电感和电阻,提高整体性能。

    5. 兼容性和支持


    NP82N04PUG MOSFET 支持标准的D2PAK (TO-263) 封装,易于焊接安装。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决问题并优化设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何测试该产品的UIS?
    解决方法:根据技术手册,产品经过100% Rg and UIS测试,用户可以参考测试报告确认产品的可靠性。

    - 问题:如何选择合适的散热片?
    解决方法:根据热阻计算散热片的需求,一般情况下,需要根据最大功率耗散和期望的工作温度确定散热片的尺寸和材料。

    7. 总结和推荐


    NP82N04PUG 是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适合于需要高效、低损耗的应用场合。其先进的TrenchFET技术、低导通电阻和高电流承载能力使其在市场上具有很强的竞争优势。推荐在各种高效率电源供应和同步整流系统中使用此产品。如果您正在寻找一款高效、可靠的MOSFET,NP82N04PUG将是您的理想选择。

NP82N04PUG-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 180A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP82N04PUG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP82N04PUG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP82N04PUG-VB NP82N04PUG-VB数据手册

NP82N04PUG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
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