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NP60N055MUK-S18-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: NP60N055MUK-S18-AY-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP60N055MUK-S18-AY-VB

NP60N055MUK-S18-AY-VB概述

    NP60N055MUK-S18-AY N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NP60N055MUK-S18-AY 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 60V(D-S)MOSFET。该产品采用先进的 TrenchFET® 技术,能够在高温环境下稳定运行,适合广泛的应用领域。主要功能包括高耐压能力和低导通电阻,使其成为电源管理和开关电路的理想选择。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流(TC = 25°C):120A
    - 脉冲漏极电流(IDM):350A
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):136W
    - 最大工作结温(TJ):-55至175°C
    - 电阻参数:
    - 栅源漏电(IGSS):±100nA
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1µA
    - 开态漏源电阻(RDS(on)):5mΩ(VGS = 10V)
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):6800pF
    - 输出电容(Coss):570pF
    - 反向传输电容(Crss):325pF
    - 总栅电荷(Qg):47nC

    产品特点和优势


    NP60N055MUK-S18-AY 具有多项显著优势:
    - 高耐压能力:高达 60V 的漏源击穿电压,适合高压环境下的应用。
    - 低导通电阻:开态漏源电阻仅为 5mΩ(VGS = 10V),能够显著降低功耗并提高效率。
    - 宽工作温度范围:可承受 -55°C 至 175°C 的极端温度环境,适用于严苛条件下的工业应用。
    - 先进的 TrenchFET® 技术:确保高性能和可靠性,特别适合高频率开关应用。

    应用案例和使用建议


    NP60N055MUK-S18-AY 在多个领域有广泛应用,例如:
    - 电源管理:用于各种直流电源转换器和逆变器,如开关电源和电机驱动器。
    - 电机控制:适合各类电动工具和机器人控制系统中的电机驱动。
    - 汽车电子:可以应用于汽车电子系统,如电动汽车的电池管理系统。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其高功率耗散能力,设计时需考虑有效的散热措施,如使用散热片或散热器。
    - 栅极驱动:为减少栅极振荡,建议使用低阻抗驱动电路,并确保适当的栅极电阻值。

    兼容性和支持


    NP60N055MUK-S18-AY 与其他标准 TO-220 封装的产品具有良好的兼容性。VBsemi 提供全方位的技术支持,包括详尽的文档资料和在线技术支持,以帮助客户顺利完成设计和应用。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何选择合适的散热片?
    - A: 根据 MOSFET 的最大功率耗散和预期的工作温度,选择合适尺寸和热阻的散热片。例如,如果预计最高结温接近 175°C,则需要使用更高热导率的散热材料。

    2. Q: 如何避免栅极振荡?
    - A: 使用低阻抗驱动电路,并在栅极添加栅极电阻,以减缓开关速度,避免高频振荡。

    总结和推荐


    NP60N055MUK-S18-AY 是一款性能卓越的 N-Channel MOSFET,具备高电压耐受能力和低导通电阻。其先进的 TrenchFET® 技术确保了出色的可靠性,特别是在高温和高频率应用中表现出色。对于需要高可靠性和高性能的应用,强烈推荐使用此产品。

NP60N055MUK-S18-AY-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 120A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NP60N055MUK-S18-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP60N055MUK-S18-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP60N055MUK-S18-AY-VB NP60N055MUK-S18-AY-VB数据手册

NP60N055MUK-S18-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.4551
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