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I478-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO251;N沟道;VDS=100V;ID =15A;RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;适用于家庭电器、工业控制、LED照明和车载电子系统等多个领域,为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。
供应商型号: I478-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) I478-VB

I478-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电源管理和控制电路的关键电子元器件。该产品具有优异的热稳定性、高可靠性和低导通电阻的特点,使其在多种应用场景中表现出色。主要应用领域包括但不限于开关电源、马达驱动器和直流-直流转换器。

    技术参数


    以下是N-Channel 100V MOSFET的主要技术参数和技术规格:
    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 100V
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 100V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \( ID \):
    - \( TJ = 25°C \): 15A
    - \( TJ = 125°C \): 8.7A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 45A
    - 功率参数
    - 最大功耗 \( PD \):
    - \( TC = 25°C \): 61W
    - \( TA = 25°C \): 2.7W
    - 温度参数
    - 最高工作结温 \( TJ \): 175°C
    - 存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C 到 175°C
    - 热阻参数
    - 结到环境热阻 \( R{thJA} \):
    - 额定值: 16°C/W
    - 最大值: 20°C/W
    - 结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 2°C/W

    产品特点和优势


    - 高温性能:N-Channel 100V MOSFET可以在高达175°C的结温下稳定工作,适合在严苛环境下的应用。
    - 可靠性高:通过100%栅极电阻测试,确保高可靠性。
    - 低导通电阻:在不同工作条件下(如 \( V{GS} = 10V \), \( TJ = 25°C \))的导通电阻仅为0.110Ω,这使得其在低损耗应用中表现优秀。
    - 快速开关特性:具备良好的动态响应能力,有助于提高电路的效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品常用于各种电力转换和控制应用中,例如开关电源、直流-直流转换器和电机驱动系统。由于其出色的热稳定性和低导通电阻,可以显著提高系统的整体效率和稳定性。
    使用建议
    - 在使用过程中应注意保持合适的散热措施,以避免过热导致的失效。
    - 在设计电路时,考虑产品的最大允许工作电压和电流,合理选择外部组件以避免超载。
    - 可以利用产品的快速开关特性来优化电路的整体性能,特别是在高频开关应用中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:N-Channel 100V MOSFET的封装形式为TO-251,易于焊接和安装。它与其他标准TO-251封装的元器件完全兼容。
    - 技术支持:制造商提供了详尽的技术支持和文档,包括产品手册、应用指南和常见问题解答,确保用户能够轻松地进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    - Q: 产品能否在高结温下长时间工作?
    - A: 该产品可以在最高175°C的结温下工作,但建议在设计时加入适当的散热措施,以确保长期稳定运行。
    - Q: 如何优化系统的整体效率?
    - A: 利用产品的低导通电阻和快速开关特性,可以选择合适的外部电容和电阻,以减小电路中的损耗。

    总结和推荐


    总结:N-Channel 100V MOSFET以其高可靠性和卓越的热稳定性,在多种电力管理应用中表现出色。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效电源管理的理想选择。
    推荐:强烈推荐该产品用于需要高性能和可靠性的电力管理和控制应用。制造商提供的详细支持和文档也为设计和部署提供了极大的便利。

I478-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 15A
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

I478-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

I478-VB数据手册

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I478-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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