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K2740-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2740-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2740-VB

K2740-VB概述

    Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能、高可靠性的电子元器件,广泛应用于各种电力电子系统中。它具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),能够显著降低开关和传导损耗。Power MOSFET 主要用于服务器和电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯。此外,它还广泛应用于工业领域。

    技术参数


    - 主要规格
    - 漏源电压(VDS):650 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.5 V 至 5 V
    - 最大连续漏电流(ID):100 A
    - 最大栅源泄漏电流(IGSS):±100 nA
    - 零栅压漏电流(IDSS):≤ 1 µA
    - 导通电阻(RDS(on)):最大值为 1 Ω(在 VGS = 10 V,ID = 4 A 时)
    - 输出电容(Coss):典型值为 120 pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为 13 nC(在 VGS = 10 V,ID = 4 A 时)
    - 电气特性
    - 输入电容(Ciss):最大值为 16 nF
    - 反向转移电容(Crss):最大值为 10 nF
    - 有效输出电容(Co(er)):无固定数值
    - 有效输出电容(Co(tr)):无固定数值
    - 关断延时时间(td(off)):无固定数值
    - 开启延时时间(td(on)):无固定数值
    - 上升时间(tr):无固定数值
    - 下降时间(tf):无固定数值
    - 门输入电阻(Rg):最大值为 3.5 Ω
    - 工作环境
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 最大结温(TJ max):150 °C
    - 最大脉冲峰值电流(IDM):无固定数值
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):97 mJ
    - 最大功耗(PD):100 W

    产品特点和优势


    - 低功耗:由于其低导通电阻和低栅极电荷,Power MOSFET 在高电流环境下具有较低的功耗。
    - 快速开关性能:快速的开关速度减少了开关损耗,提高了系统的整体效率。
    - 高可靠性:通过减少热应力和电气应力,延长了器件的使用寿命。
    - 易于驱动:较低的栅极电荷使其更容易被驱动,适合于需要高频率切换的应用。
    - 良好的散热能力:采用TO-220 FULLPAK封装,散热效果良好,确保长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:利用其高电流能力和低损耗,适用于高压直流电源系统。
    - 工业应用:适合高频开关和高可靠性要求的应用,例如工业自动化设备。
    - LED 照明:由于其高效能和低损耗,非常适合用于 LED 照明的功率转换模块。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意合理选择驱动电路以避免过高的开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,以防止器件过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该Power MOSFET与市场上常见的控制芯片和驱动电路兼容,无需额外的设计调整。
    - 支持:制造商提供详细的技术支持和售后服务,包括数据手册、应用笔记和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何提高散热效果?
    - 解决方案:增加散热片或使用散热风扇,确保散热通道畅通。
    - 问题2:如何优化驱动电路?
    - 解决方案:根据具体应用调整栅极电阻(Rg)和驱动电压,优化驱动波形以减少开关损耗。
    - 问题3:如何处理热关机问题?
    - 解决方案:确保电路有足够的散热措施,如果热关机频繁发生,考虑更换散热性能更好的封装或改进散热设计。

    总结和推荐


    总的来说,这款Power MOSFET以其高效的性能和广泛的应用范围,是市场上一款非常优秀的电子元器件。它在服务器、电信电源、工业控制等多个领域的表现尤为出色,特别适合需要高效能和低损耗的应用场合。推荐在设计电力电子系统时优先考虑使用这款Power MOSFET,以获得最佳的系统性能和长期可靠性。

K2740-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2740-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2740-VB数据手册

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K2740-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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