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VPHG3355-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: VPHG3355-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VPHG3355-VB

VPHG3355-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30V MOSFET
    P-Channel 30V MOSFET 是一种用于移动计算设备中的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它主要应用于负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器中。这款产品采用TrenchFET® 技术,具有较高的可靠性,并经过全面的质量测试,确保其性能稳定可靠。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 规格 | 备注 |
    |
    | 漏源电压 VDS | -30V
    | 最大栅极-源极电压 VGS | ±20V
    | 连续漏极电流 ID | -5.6A (TA=25°C) | 表面安装于1"×1" FR4板上 |
    | 脉冲漏极电流 IDM | -18A
    | 最大功率耗散 PD | 2.5W (TC=25°C)
    | 工作温度范围 TJ | -55°C 至 150°C
    | 热阻抗 RthJA | 75°C/W (典型值), 100°C/W (最大值)

    产品特点和优势


    特点:
    1. TrenchFET® 技术:采用先进的TrenchFET® 技术,确保了低导通电阻和高可靠性。
    2. 100% Rg 测试:所有产品均经过100%栅极电阻测试,确保质量和性能的一致性。
    3. 适应广泛的温度范围:能够在极端环境下正常工作,适合多种恶劣的应用场景。
    4. 低热阻抗:具有较低的热阻抗,能有效散热,保证长时间稳定运行。
    优势:
    - 高效节能:低导通电阻使得在高频开关应用中减少能量损耗,提高效率。
    - 广泛应用:适用于多种场合,如负载开关、笔记本适配器等。
    - 高可靠性:通过严格测试,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 负载开关:该产品被广泛应用于负载开关中,用于控制电路中的电源开关,以保护设备免受过载或短路的影响。
    2. 笔记本适配器开关:由于其高效的能量转换能力,它常被用于笔记本电脑的电源适配器中,确保适配器稳定工作。
    3. DC/DC转换器:其快速开关特性和低导通电阻使其成为DC/DC转换器的理想选择。
    使用建议:
    1. 正确连接:在使用时,需根据应用要求正确连接栅极、漏极和源极引脚,避免反接导致损坏。
    2. 散热措施:由于其较大的功率耗散,建议在使用时采取有效的散热措施,例如添加散热片或风扇。
    3. 环境适应:该产品适合在宽广的温度范围内工作,但在极端环境下建议加强防护措施。

    兼容性和支持


    兼容性:
    该产品可与多数现有的电子元件和设备兼容,无需额外调整即可集成到现有系统中。不过,具体应用前建议进行兼容性测试以确保最佳效果。
    支持:
    制造商提供详尽的技术支持,包括产品数据表、应用指南和技术文档等。此外,服务热线400-655-8788随时待命,解答客户在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何正确选择MOSFET的工作电压?
    - A:确保MOSFET的工作电压在额定电压范围内,过高的电压会导致器件损坏。建议参考数据表中的额定参数进行选择。
    2. Q:如何提高散热效率?
    - A:可以通过增加散热片、使用风扇等方式来提高散热效率,或者采用更好的散热材料,例如银膏来改善接触面的热传导。
    3. Q:能否提供更详细的安装指南?
    - A:可以联系制造商获得详细的产品安装指南和技术支持文档,这些资料能够帮助您更好地了解产品的使用方法。

    总结和推荐


    总体来说,P-Channel 30V MOSFET凭借其出色的性能和广泛应用范围,在电子设备设计和制造中展现出巨大的潜力。特别是其低导通电阻和高可靠性,使其在众多场合下具备竞争优势。如果您需要一款性能优异且适用广泛的MOSFET产品,我们强烈推荐选用此款P-Channel 30V MOSFET。

VPHG3355-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 5.6A
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VPHG3355-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VPHG3355-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VPHG3355-VB VPHG3355-VB数据手册

VPHG3355-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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