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K3595-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F\n由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: K3595-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3595-VB

K3595-VB概述

    N-Channel 200V MOSFET(D-S)技术手册

    产品简介


    本产品是一款N-Channel 200V MOSFET(漏极-源极电压200V),适用于表面贴装(Surface Mount)和低轮廓穿孔(Low-Profile Through-Hole)的应用场景。其核心特性包括完全符合无卤素标准(根据IEC 61249-2-21定义)、完全符合RoHS指令2002/95/EC,具备高动态dV/dt率、快速开关能力和全雪崩等级。本产品广泛应用于电源管理、电机控制、通信设备等领域。

    技术参数


    以下是产品的主要技术规格和性能参数:
    - 漏极-源极电压 (VDS): 200V
    - 门极-源极阈值电压 (VGS(th)): 2.0V~4.0V
    - 门极-源极泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)): VGS=10V时为0.058Ω
    - 输入电容 (Ciss): 最大1300pF
    - 输出电容 (Coss): 最大430pF
    - 反向传输电容 (Crss): 最大130pF
    - 总门极电荷 (Qg): 最大70nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 13nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 39nC
    - 工作温度范围: -55°C到+150°C
    - 贮存温度范围: -55°C到+150°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 580mJ
    - 雪崩电流 (IAR): 20A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 13mJ
    - 单脉冲热阻抗 (RthJC): 最大1.0°C/W
    - 动态dV/dt率: 5.0V/ns

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:完全符合无卤素和RoHS标准,确保环保和安全使用。
    2. 快速开关:具有高动态dV/dt率和快速开关能力,适用于高频应用。
    3. 全雪崩等级:具备全雪崩等级,确保在极端条件下也能稳定工作。
    4. 宽工作温度范围:工作温度范围为-55°C到+150°C,适合严苛环境。

    应用案例和使用建议


    本产品可用于多种应用场景,例如:
    - 电源管理:适合作为电源开关,提高系统效率。
    - 电机控制:快速开关特性和高可靠性使其适用于电机驱动电路。
    - 通信设备:具备全雪崩等级和快速开关特性,适合通信设备中的关键组件。
    使用建议:
    - 在设计应用电路时,需注意散热管理,避免因过热而导致损坏。
    - 选择合适的门极电阻以优化开关速度和功耗。
    - 确保电路布局符合最佳实践,减少寄生效应的影响。

    兼容性和支持


    本产品采用TO-220 FULLPAK封装,可与相同封装的其他MOSFET或相关设备兼容。制造商提供详细的技术文档和支持,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。如有需要,可以通过400-655-8788联系客服获取进一步的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保MOSFET在高温环境下正常工作?
    - 答: 使用前需确保了解其最大工作温度范围(-55°C到+150°C)。在实际应用中,要通过合理的散热措施来保持MOSFET的工作温度在允许范围内。
    2. 问:如何避免MOSFET的击穿现象?
    - 答: 严格按照手册中的最大电压限制进行设计,使用合适的保护电路如栅极电阻,以防止瞬间高压导致的击穿。
    3. 问:如何测试MOSFET的雪崩特性?
    - 答: 使用专门的测试电路,如图12c所示,通过设置适当的测试条件(如电压和电流)来测量雪崩能量。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 200V MOSFET凭借其独特的技术和优异的性能,在多种应用场合中表现出色。我们强烈推荐此产品用于需要高可靠性和高性能的电力管理和电机控制系统。其快速开关能力和宽工作温度范围使它成为市场上同类产品中的佼佼者。

K3595-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3595-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3595-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3595-VB K3595-VB数据手册

K3595-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
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500+ ¥ 5.795
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