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FS70UMJ-03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: FS70UMJ-03-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FS70UMJ-03-VB

FS70UMJ-03-VB概述

    FS70UMJ-03-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FS70UMJ-03-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 30V(D-S)功率 MOSFET。它采用先进的 TrenchFET® 技术制造,具有低热阻封装,特别适合于需要高效电流控制的应用。这些特性使其广泛应用于电源管理、电机驱动、通信设备等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VGS=0V,ID=250μA | 30 | - | - | V |
    | 门极-源极阈值电压 | VDS=VGS,ID=250μA | 1.0 | 2.5 | - | V |
    | 门极-源极泄漏电流 | VDS=0V,VGS=±20V | - | - | ±100 | nA |
    | 开态漏极电流 | VGS=10V,VDS≥5V | 70 | - | - | A |
    | 开态漏极-源极电阻 | VGS=10V,ID=20A | - | 0.007 | - | Ω |
    | 开态漏极-源极电阻 | VGS=4.5V,ID=15A | - | 0.010 | - | Ω |
    | 集电极连续电流 | - | - | 70 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | - | - | 250 | - | A |

    产品特点和优势


    - 先进工艺:采用 TrenchFET® 技术,确保高效的电流控制。
    - 低热阻封装:提供快速散热,提高可靠性和性能。
    - 高可靠性测试:100% 门极电阻和雪崩耐受能力测试,确保产品的稳定性和耐用性。
    - 广泛应用:适用于多种应用,包括电源管理和电机驱动系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例:FS70UMJ-03-VB 广泛应用于开关电源、电机驱动器、通信模块等。例如,在一个开关电源系统中,可以使用这款 MOSFET 来控制输出电压,确保稳定的电力供应。
    使用建议:在选择 MOSFET 的栅极电阻时,建议根据具体应用的开关频率进行调整。同时,在高功率应用中,确保良好的散热设计以维持器件的长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 采用标准 TO-220AB 封装,易于集成到现有电路板设计中。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术支持,包括在线资源和客户服务中心,确保用户能够顺利使用和优化产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 门极电压设置不当导致设备无法正常工作 | 确保门极电压设置在 4.5V 到 10V 之间。 |
    | 设备发热严重 | 检查散热设计,增加散热片或优化空气流通。 |
    | 漏电流过高 | 确认接线无误,检查负载是否符合额定要求。 |

    总结和推荐


    FS70UMJ-03-VB N-Channel 30V MOSFET 在众多应用中表现出色,具有出色的电气特性和高可靠性。特别是其低热阻封装和先进的 TrenchFET® 技术,使其成为电源管理和电机驱动系统的理想选择。建议在需要高效电流控制的应用中使用此产品,并确保正确的使用方法和良好的散热设计。总体而言,这是一款值得推荐的产品。

FS70UMJ-03-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 70A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FS70UMJ-03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FS70UMJ-03-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FS70UMJ-03-VB FS70UMJ-03-VB数据手册

FS70UMJ-03-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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