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75542S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: 75542S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 75542S-VB

75542S-VB概述

    75542S-VB N-Channel 80V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    75542S-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-263 封装。它主要适用于高效率开关电源、电机驱动器、电池充电器和其他需要高速开关的电力电子系统。这款 MOSFET 的典型应用领域包括工业控制、消费电子产品、通信设备以及汽车电子等。

    技术参数


    以下是 75542S-VB 的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 80 | - | - | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 4.5 | V |
    | 栅源漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | - | - | 90 | A |
    | 漏源导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | 6 | - | - | mΩ |
    | 漏源导通电阻(VGS=4.5V) | RDS(on) | 10 | - | - | mΩ |
    | 静态输入电容 | Ciss | - | 3330 | - | pF |
    | 动态输出电容 | Coss | - | 1395 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 95 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 53.5 | 81 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 14.5 | - | nC |
    | 栅极抗阻 | Rg | 0.9 | 1.9 | 3.8 | Ω |
    | 绝对最大额定值
    | 漏源电压 | VDS | 80 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流(TJ=150℃) | ID | 120 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流(t=100μs) | IDM | 225 | - | - | A |
    | 单次雪崩电流(IL=0.1mH) | IAS | 50 | - | - | A |
    | 单次雪崩能量 | EAS | 125 | - | - | mJ |
    | 最大功率耗散(Tc=25℃) | PD | 370 | - | - | W |
    | 最大工作结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | ℃ |

    产品特点和优势


    1. ThunderFET® 功率 MOSFET:具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,可有效降低损耗,提高能效。
    2. 最高工作温度达 175℃:能够在极端温度环境下稳定工作,适用于恶劣的工作条件。
    3. 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量可靠,性能稳定。

    应用案例和使用建议


    1. 开关电源:在高效率开关电源中,可以作为主控开关器件,显著提升系统的整体效率。
    2. 电机驱动器:用于电动机的驱动和控制,提供快速响应和高精度的控制。
    3. 电池充电器:在高效率电池充电器中使用,能够提供快速稳定的充电过程。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到 MOSFET 的最大电流和电压限制,以避免过载损坏。
    - 确保散热良好,特别是在高电流和高频率下使用时。

    兼容性和支持


    75542S-VB MOSFET 与大多数标准 PCB 材料兼容,建议使用符合 FR4 材料规范的 PCB 进行焊接。厂商提供了详细的用户指南和技术支持服务,以帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开启时间过长?
    - A: 确认驱动信号强度是否足够,检查是否有外部干扰导致信号异常。
    2. Q: 温度过高导致关机?
    - A: 检查散热片安装是否稳固,确认是否有足够的通风散热。
    3. Q: 无法正常工作?
    - A: 确认连接正确无误,检查外围电路是否存在故障,如有疑问请联系技术支持。

    总结和推荐


    75542S-VB MOSFET 是一款性能卓越、应用广泛的电子元器件。它的高可靠性、宽工作温度范围以及高效的开关特性使其成为多种应用的理想选择。强烈推荐在高效率开关电源、电机驱动和电池充电器等领域使用。对于设计人员来说,这款 MOSFET 提供了可靠的性能保障,值得考虑将其纳入设计方案中。

75542S-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

75542S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

75542S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 75542S-VB 75542S-VB数据手册

75542S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
800+ ¥ 4.1395
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