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JCS9N50FT-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: JCS9N50FT-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS9N50FT-O-F-N-B-VB

JCS9N50FT-O-F-N-B-VB概述


    产品简介


    本产品为一款N沟道650V耐压的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件广泛应用于多种场合,包括服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯)、工业控制设备等。

    技术参数


    - 耐压能力: VDS (最大) = 650 V
    - 导通电阻: RDS(on) (在25°C时) = 0.2 Ω (VGS = 10 V)
    - 栅极电荷: Qg (最大) = 43 nC
    - 栅源电荷: Qgs = 5 nC
    - 栅漏电荷: Qgd = 22 nC
    - 最大连续电流: ID (在TJ = 150 °C时) = 9.4 A
    - 最大脉冲电流: IDM = 45 A
    - 最大功耗: PD = 3.6 W/°C (线性降额因子)
    - 最高工作温度: TJ, Tstg = -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低通态电阻(Ron): 该器件具备超低的通态电阻,可以显著减少能量损耗。
    - 低输入电容(Ciss): 低输入电容降低了驱动损耗,使得器件能够快速切换。
    - 增强型能量耗散: 具备较高的雪崩能量等级(EAS),能够在极端条件下可靠工作。
    - 超低栅极电荷(Qg): 超低的栅极电荷使得MOSFET能够实现高效的开关转换,同时降低驱动器的功率需求。

    应用案例和使用建议


    该N沟道650V MOSFET非常适合用于高效率、高可靠性要求的应用场景,例如开关电源和工业自动化设备。在使用这类器件时,应注意散热设计以避免过热,特别是在大电流条件下运行。建议采用良好的散热设计,如使用散热片或散热风扇,并且要注意保证适当的电气隔离,防止高压击穿。

    兼容性和支持


    根据产品手册,该MOSFET兼容多数标准电源电路设计。制造商提供了详细的技术支持文档,包括安装指南和常见问题解答。如有需要,用户可以通过官方网站或客服热线获得进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备启动后工作不稳定。
    - 解决方案: 检查MOSFET的焊接是否良好,确保栅极驱动信号正确无误。
    2. 问题: MOSFET发热严重。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或使用更大容量的散热风扇。
    3. 问题: 开关频率下降。
    - 解决方案: 确认电路中是否存在电容值不合适或者电路布局引起的寄生电感问题,优化电路设计。

    总结和推荐


    该N沟道650V MOSFET以其出色的低通态电阻、快速开关特性和高能量耗散能力,在众多电力电子应用中展现出卓越的性能。对于需要高效、可靠开关控制的电路设计,这款器件无疑是一个理想选择。通过上述特点和技术参数的综述,我们可以清楚地看出它在高效率应用领域的强大竞争力。总体来说,强烈推荐在相关应用场景中使用这款器件。

JCS9N50FT-O-F-N-B-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS9N50FT-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS9N50FT-O-F-N-B-VB JCS9N50FT-O-F-N-B-VB数据手册

JCS9N50FT-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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