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05N03LB-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: 05N03LB-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 05N03LB-VB

05N03LB-VB概述

    # N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种高效率电力转换应用。它具备出色的热稳定性和低导通电阻,能够显著降低损耗并提高系统效率。该产品广泛应用于电源管理、服务器、电信设备和其他需要高效功率控制的场合。
    应用领域
    - OR-ing(或门)
    - 服务器
    - DC/DC 转换器

    技术参数


    主要技术规格
    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压(VDS) | 30 V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.002 Ω @ VGS=10 V
    0.00 Ω @ VGS=4.5 V |
    | 持续漏极电流(ID) | 100 A @ TC=25°C |
    | 门源阈值电压(VGS(th)) | 1.5 - 2.5 V |
    | 总栅电荷(Qg) | 151 - 227 nC |
    | 最大功耗(PD) | 235 W @ TC=25°C |
    支持的电气特性
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):300 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):94.8 mJ
    - 反向恢复时间(trr):52 - 78 ns
    - 雪崩电流(IAS):39 A
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 结到环境最大热阻(RthJA):32 °C/W
    - 结到外壳最大热阻(RthJC):0.5 °C/W

    产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET® Power MOSFET 技术,具有低导通电阻和高电流能力。
    - 完全符合 RoHS 指令 2011/65/EU,环保无铅。
    - 通过 100% Rg 和 UIS 测试,确保产品可靠性。
    市场竞争力
    - 低导通电阻和高连续漏极电流使其在高效率电源管理和服务器应用中表现出色。
    - 优异的热性能和抗雪崩能力保证了产品在严苛环境下的可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 在 OR-ing 电路中作为开关器件,以实现高效的电源切换。
    - 服务器电源系统中,用于高效率的直流-直流转换。
    使用建议
    - 确保散热片设计合理,以维持器件的正常工作温度。
    - 注意驱动电压的选择,以达到最佳的工作状态。

    兼容性和支持


    兼容性
    该产品设计用于标准 TO-252 封装,易于安装且与大多数现有的 PCB 设计兼容。
    支持
    - 客户技术支持:400-655-8788
    - 提供详尽的技术文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:过高的结温导致性能下降。
    解决方案:增加散热措施,如使用散热片或强制冷却。

    2. 问题:开关过程中产生过多热量。
    解决方案:选择合适的栅极电阻,优化驱动信号。

    总结和推荐


    综合评估
    N-Channel 30-V MOSFET 凭借其卓越的导通电阻、高电流能力和优秀的热稳定性,在多种应用中表现出色。尤其适合于需要高效功率控制的场合,如服务器电源管理和 OR-ing 电路。
    推荐使用
    鉴于其高效、可靠的性能,我们强烈推荐该产品用于高效率电源管理及相关应用。

05N03LB-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

05N03LB-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

05N03LB-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 05N03LB-VB 05N03LB-VB数据手册

05N03LB-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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交货地:
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