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HUFA76423S3S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: HUFA76423S3S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUFA76423S3S-VB

HUFA76423S3S-VB概述

    HUFA76423S3S-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HUFA76423S3S-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于直流到直流转换器、电源管理、电机驱动等领域。其特点是采用表面贴装技术(Surface Mount Technology),并且具有高可靠性和高性能。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 栅源电压 (VGS): ±10 V
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 持续漏极电流 (TC = 25°C): 50 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 150 W
    - 静态参数
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 时为 0.032 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V 时为 0.035 Ω
    - 门极至源极阈值电压 (VGS(th)): 1.0 - 3.0 V
    - 门极至源极漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 3000 pF
    - 门极电荷 (Qg): 66 nC
    - 开启延时时间 (td(on)): 17 ns
    - 上升时间 (tr): 230 ns
    - 关闭延时时间 (td(off)): 42 ns
    - 下降时间 (tf): 110 ns

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素设计: 符合 IEC 61249-2-21 标准,满足环保要求。
    - 逻辑级门极驱动: 使得器件更容易与现有电路匹配。
    - 快速开关: 低至 17 ns 的开启延时时间和 110 ns 的下降时间。
    - 高可靠性: 符合 RoHS 标准,适合长期应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: HUFA76423S3S-VB 常用于电源管理和电机驱动电路中。例如,在直流到直流转换器中,它能有效控制电流和电压转换。
    - 使用建议:
    - 确保 PCB 布局中尽量减少寄生电感,可以提高电路的整体性能。
    - 使用适当的门极驱动器来保证 MOSFET 的稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: HUFA76423S3S-VB 可以与常见的电源管理和电机驱动电路板兼容。由于其表面贴装特性,适用于现代 PCB 制造工艺。
    - 支持: 制造商提供详尽的技术手册和支持服务,以确保客户能够顺利集成和使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极电流不稳定。
    - 解决方案: 检查 PCB 布局是否有寄生电感或不良接地。调整电路布局,确保接地平面良好。
    - 问题: MOSFET 发热严重。
    - 解决方案: 确认散热设计符合要求。使用合适的散热器或增大 PCB 的铜箔面积以提高散热效果。

    7. 总结和推荐


    综述: HUFA76423S3S-VB N-Channel MOSFET 凭借其高效能和高可靠性,特别适用于需要快速开关和高电流处理的应用场合。该器件无卤素设计且符合 RoHS 标准,是绿色环保的选择。此外,制造商提供的详细技术支持也使集成过程更为简便。
    推荐: 鉴于其优异的性能和广泛的适用范围,强烈推荐使用 HUFA76423S3S-VB MOSFET 来提升各类电力电子设备的性能。

HUFA76423S3S-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 40A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HUFA76423S3S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUFA76423S3S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUFA76423S3S-VB HUFA76423S3S-VB数据手册

HUFA76423S3S-VB封装设计

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100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
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