处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF7313QTRPBF-VB

IRF7313QTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V) 封装:SOP8\n在LED照明系统中,可用于设计中功率的LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其中等漏极电阻和稳定的特性使其成为LED照明系统中的理想选择,提高LED灯具的性能和寿命。
供应商型号: IRF7313QTRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7313QTRPBF-VB

IRF7313QTRPBF-VB概述

    IRF7313QTRPBF 双N沟道30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF7313QTRPBF是一款双N沟道30V(D-S)MOSFET,由台湾VBsemi公司生产。它采用先进的TrenchFET® Power MOSFET技术,适用于多种电子应用,如机顶盒(Set Top Box)和低电流DC/DC转换器。此MOSFET具有高可靠性、低导通电阻和优异的热稳定性,使其成为众多电源管理应用的理想选择。

    技术参数


    以下是IRF7313QTRPBF的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.5 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.022 @ VGS=10V | - | 0.026 @ VGS=4.5V | Ω |
    | 栅极电荷 | Qg | 3.7 @ VGS=4.5V | - | 5.6 @ VGS=10V | nC |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | 1 | - | 10 | μA |
    | 体二极管反向恢复时间 | trr | 7 | - | 15 | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | 4 | - | 8 | nC |
    此外,该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,绝对最大额定值如下:
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
    ||
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | V |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | 30 | A |

    产品特点和优势


    IRF7313QTRPBF的独特功能和优势包括:
    - TrenchFET® Power MOSFET技术:提高效率并降低损耗。
    - 完全UIS和Rg测试:确保产品在极端条件下的可靠性和稳定性。
    - 符合RoHS标准:环保且对人体安全无害。
    - 低导通电阻:降低功耗并提高效率。

    应用案例和使用建议


    IRF7313QTRPBF适用于各种应用,例如机顶盒、低电流DC/DC转换器等。在设计电源管理系统时,建议遵循以下几点:
    - 温度管理:确保散热良好,以避免过热。
    - 电路布局:保持栅极驱动线尽可能短,以减少噪声干扰。
    - 负载匹配:确保负载与MOSFET的最大电流能力相匹配。

    兼容性和支持


    IRF7313QTRPBF采用SO-8封装,适用于大多数表面贴装工艺。厂商提供详细的技术文档和支持,帮助客户快速上手并解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:MOSFET过热
    解决方案:增加散热措施,如安装散热片或使用更好的PCB布局来改善散热。
    - 问题:电流不稳定
    解决方案:检查电路布局和负载匹配,确保栅极驱动信号稳定。

    总结和推荐


    IRF7313QTRPBF是一款高性能的双N沟道30V MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和环保特性。适合用于各种电源管理应用,尤其是需要高效能和高稳定性的场合。强烈推荐给需要高性能MOSFET的工程师和技术人员。

IRF7313QTRPBF-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.73V
Id-连续漏极电流 6.8A,6A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@10V,26mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7313QTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7313QTRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7313QTRPBF-VB IRF7313QTRPBF-VB数据手册

IRF7313QTRPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 29.14
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504